Издателям
Вышедшие номера
Слабо- и сильносигнальный диэлектрический отклик в монокристаллической пленке частично дейтерированного бетаинфосфита
Балашова Е.В.1, Кричевцов Б.Б.1, Леманов В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: balashova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 1 июня 2011 г.

Поли- и монокристаллические пленки дейтерированного бетаинфосфита со степенью дейтерирования ~20% выращены методом испарения на подложках NdGaO3 (001) с предварительно нанесенной на них планарной встречно-штыревой структурой электродов. Слабосигнальный диэлектрический отклик в частотном диапазоне 0.1-100 kHz показывает сильную аномалию емкости при переходе пленок в сегнетоэлектрическое состояние. Приложение смещающего поля приводит к подавлению и небольшому сдвигу диэлектрической аномалии в область высоких температур. Сильносигнальный диэлектрический отлик исследован методом Сойера-Тауэра в частотном диапазоне 0.06-3 kHz в пара- и сегнетофазе. В отличие от случая плоскопараллельного конденсатора в исследованной планарной структуре петли диэлектрического гистерезиса имеют очень слабую коэрцитивность на низких частотах, которая увеличивается с повышением частоты. Такое различие объясняется разной доменной структурой, реализуемой в плоскопараллельном конденсаторе и планарной структуре в насыщающем поле. Увеличение гистерезиса с частотой в планарной структуре связывается с процессом движения доменных границ. Работа поддержана РФФИ (грант N 10-02-00557а), ГК 02.740.11.0544.
  • M. Dawber, K.M. Rabe, J.F. Scott. Rev. Mod. Phys. 77, 1083 (2005)
  • S. Ducharme, S.P. Palto, V.M. Fridkin. In: Ferroelectrics and dielectrics thin film / Ed. H.S. Nalwa. Academic, San Diego (2002). 545 p
  • К.С. Александров, Б.В. Безносиков. Перовскиты. Настоящее и будущее (многообразие прафаз, фазовые превращения, возможности синтеза новых соединений). Изд-во СО РАН, Новосибирск (2004). 231 с
  • E.V. Balashova, B.B. Krichevtsov, V.V. Lemanov. J. Appl. Phys. 104, 126 104 (2008)
  • Е.В. Балашова, Б.Б. Кричевцов, В.В. Леманов. ФТТ 51, 525 (2009)
  • E.V. Balashova, B.B. Krichevtsov, V.V. Lemanov. Integr. Ferroelectrics 106, 29 (2009)
  • A.K. Tagantsev, V.O. Sherman, K.F. Astafiev, J. Venkatesh, N. Setter. J. Electroceram. 11, 5 (2003)
  • H. Bauch, J. Banys, R. Bottcher, A. Poppl, G. Volkel, C. Klimm, A. Klopperpieper. Ferroelectrics 163, 59 (1995)
  • J. Albers. Feroelectrics 78, 3 (1988)
  • H. Ebert, S. Lanceros-Mendez, G. Schaack, A. Klopperpieper. J. Phys.: Cond. Matter 7, 9305 (1995)
  • A.K. Tagantsev, L.E. Cross, J. Fousek. Domains in ferroic crystals and thin films. Springer, N. Y. (2010). 821 p
  • B.A. Strukov, A.P. Levanyuk. Ferroelectric phenomena in crystals. Springer, Berlin (1998). 308 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.