Вышедшие номера
Подвижность 2D-электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов в тонких легированных слоях
Михеев В.М.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: mikheev@imp.uran.ru
Поступила в редакцию: 16 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Рассмотрены пространственные корреляции примесных ионов в тонких легированных слоях. Для описания корреляций в расположении примесных ионов развита модель жестких сфер на плоскости. В этой модели получено аналитическое выражение для структурного фактора 2D-электронов. Изучены концентрационные зависимости подвижности 2D-электронов в гетероструктурах с раздельным легированием на примере AlxGa1-xAs/GaAs. Работа выполнена по плану РАН (шифр "Электрон" N г.р. 01.2.006 13395).
  1. F. Stern. Appl. Phys. Lett. 43, 974 (1983); T. Saku, Y. Horikoshi, Y. Tokura. Jpn. J. Appl. Phys. 35, 34 (1996)
  2. S. Das Sarma, S. Stern. Phys. Rev. B 32, 8442 (1985)
  3. A.L. Efros, F.G. Pikus, G.G. Samsonidze. Phys. Rev. B 41, 8295 (1990)
  4. T. Kawamura, S. Das Sarma. Silod State Commun. 100, 411 (1996)
  5. В.М. Михеев. ФТТ 49, 1770 (2007)
  6. В.М. Михеев. ФТТ 50, 1877 (2008)
  7. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем. Мир, М. (1985). 415 с.; F. Stern, W. Howard. Phys. Rev. 163, 816 (1967)
  8. Р. Балеску. Равновесная и неравновесная статистическая механика. Наука, М. (1978). Т. 1. 405 с
  9. В.М. Михеев. ФТТ 47, 1056 (2005)
  10. DX-centers and other metastable defects in semiconductors. Int. Symp. Mauterdorf, Austria (1991). Semicond. Sci. Technol. 6, 10B (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.