Вышедшие номера
Рентгеноспектральное и теоретическое исследование электронного строения фенилциклосиланов (SiPh2)n (n=4-6)
Даниленко Т.Н.1, Власенко В.Г.1, Татевосян М.М.1
1Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
Email: tdanil1982@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

Получены рентгеновские эмиссионные SiKalpha1,2- и SiKbeta1-спектры ряда фенилциклосиланов (SiPh2)n (n=4-6). С использованием результатов квантово-химических расчетов в приближении теории функционала плотности проведена интерпретация тонкой структуры SiKbeta1-спектров. Построены распределения плотностей электронных состояний атомов кремния по валентной полосе, установлены типы химических связей, обеспечивающих взаимодействия Si-Si и Si-Ph. На основе теории натуральных связевых орбиталей проведен анализ химического связывания в исследованном ряду фенилциклосиланов.