Вышедшие номера
Исследование структуры и люминесцентных свойств сверхрешеток CdF2-CaF2 : Eu на Si(111)
Вальковский Г.А.1, Дурнев М.В.1, Заморянская М.В.1, Конников С.Г.1, Крупин А.В.1, Мороз А.В.1, Соколов Н.С.1, Трофимов А.Н.1, Яговкина М.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: xray@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Проведено комплексное исследование сверхрешеток CdF2-CaF2 : Eu с различной толщиной бислоя (2-17.5 nm), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на Si(111). Анализ данных рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии позволил оценить структурное совершенство слоев и интерфейсов сверхрешеток. Установлена возможность получения псевдоморфных короткопериодных сверхрешеток с периодом около 2 nm. При этом показано, что такие сверхрешетки характеризуются большей среднеквадратичной амплитудой шероховатости интерфейсов сравнительно со сверхрешетками с большим периодом. Рассмотрены особенности спектров катодолюминесценции в зависимости от периода сверхрешеток. Показано, что с уменьшением периода интенсивность собственной люминесценции фторидов увеличивается по отношению к интенсивности люминесценции, связанной с излучением примесных ионов Eu2+. При этом появляется несколько полос излучения Eu3+. Продемонстрированы возможности рентгеноспектрального микроанализа для определения соотношения толщин отдельных слоев в короткопериодных сверхрешетках. Работа выполнена с использованием оборудования регионального ЦКП "Материаловедение и диагностика в передовых технологиях" при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ, государственный контракт N 16.552.11.7002, соглашение N 8368 от 24 августа 2012.
  1. W. Hayes. Crystals with the fluorite structure. Clarendon Press, Oxford (1974). 488 p
  2. R.N. Kyutt, A.Yu. Khilko, N.S. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 70, 12, 1563 (1997)
  3. Р.Н. Кютт, А.Ю. Хилько, Н.С. Соколов. ФТТ 40, 8, 1563 (1998)
  4. С.М. Сутурин. Эпитаксиальные фториды кальция и кадмия на Si(111) и Si(001): рост и свойства низкоразмерных гетероструктур. Канд. дис. СПб. (2002)
  5. N.S. Sokolov, S.V. Gastev, S.V. Novikov, N.L. Yakovlev, A. Izumi, S. Furukawa. Appl. Phys. Lett. 64, 22, 2964 (1994)
  6. N.S. Sokolov, S.V. Gastev, A.Yu. Khilko, R.N. Kyutt, S.M. Suturin, M.V. Zamoryanskaya. J. Cryst. Growth 201/202, 1053 (1999)
  7. A.Yu. Khilko, S.V. Gastev, R.N. Kyutt, M.V. Zamoryanskaya, N.S. Sokolov. Appl. Surf. Sci. 123/124, 595 (1998)
  8. N.S. Sokolov, S.M. Suturin. Thin Solid Films 367, 112 (2000)
  9. М.В. Заморянская, С.Г. Конников, А.Н. Заморянский. ПТЭ 4, 62 (2004)
  10. V.S. Speriosu, Jr. Vreeland. J. Appl. Phys. 56, 4, 1591 (1984)
  11. M. Birkholz. Thin Film Analysis by X-Ray Scattering. WILEY-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA., Weinheim (2006). 356 p
  12. I.D. Feranchuk, S.I. Feranchuk, A.P. Ulyanenkov. Phys. Rev. B 75, 085 414 (2007)
  13. R.T. Williams, K.S. Song. J. Phys. Chem. Solids. 51, 7, 679 (1990)
  14. Д.Т. Свиридов, Р.К. Свиридова, Ю.Ф. Смирнов. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. Наука, М. (1976). 264 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.