Издателям
Вышедшие номера
Особенности изменения электросопротивления углеродных нанокомпозитов на основе наноалмазов при нейтронном облучении
Гордеев С.К.1, Коноплева Р.Ф.2, Чеканов В.А.2, Корчагина С.Б.1, Беляев С.П.2,3, Голосовский И.В.2, Денисов И.А.4, Белобров П.И.4
1Центральный научно-исследовательский институт материалов, Санкт-Петербург, Россия
2Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Гатчина, Ленинградская обл., Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Сибирский федеральный университет, Институт биофизики СО РАН, Красноярск, Россия
Email: krf@pnpi.spb.ru
Поступила в редакцию: 1 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

Исследованы физические свойства объемных композиционных материалов, состоящих из наноалмаза, пироуглерода и наноразмерных пор. Образцы облучали в канале реактора быстрыми нейтронами (E>0.5 MeV) в ампулах с гелием и в водной среде. Изучены зависимости электротранспортных свойств материалов различного состава от дозы облучения быстрыми нейтронами. Обнаружено немонотонное изменение электросопротивления с увеличением флюенса нейтронов. Предлагаются возможные объяснения наблюдаемой зависимости электросопротивления от флюенса нейтронов, в частности, связанные с физическими процессами, происходящими в поверхностных состояниях в трехфазной системе нанокомпозита. Работа выполнена при поддержке грантов Министерства образования и науки 14.518.11.7028, 16.518.11.7034 и гранта РФФИ 10-02-00576.
  • В.В. Даниленко. Синтез и спекание алмаза взрывом. Энергоатомиздат, М. (2003). 272 с
  • С.К. Гордеев. Сверхтвердые материалы 6, 60 (2002)
  • S.K. Gordeev, P.I. Belobrov, N.I. Kiselev, E.A. Petrakovskaya, T.C. Ekstrom. Mater. Res. Soc. Symp. --- Proceedings. 638, F14.16.1 (2001)
  • I.V. Golosovsky, I. Mirebeau, E. Elkaim, D.A. Kurdyukov, Yu.A. Kumzerov. Europ. Phys. J. B 47, 55 (2005)
  • Е.И. Григорьев, П.С. Воронцов, С.А. Завьялов, С.Н. Чвалун. Письма ЖТФ 28, 20, 15 (2002)
  • А.С. Котосонов. Письма ЖЭТФ 43, 1, 30 (1986)
  • А.С. Котосонов. ЖЭТФ 93, 11, 1870 (1987)
  • А.С. Котосонов. ФТТ 33, 9, 2616 (1991)
  • А.С. Котосонов. ФТТ 31, 8, 146 (1989)
  • Л.В. Лунев. Письма ЖЭТФ 27, 15, 84 (2001)
  • П.И. Белобров. Высокие технологии в промышленности России. Техномаш, М. (2003). C. 235
  • Е.И. Жмуриков. Препринт ИЯФ N 18, Новосибирск (2005). 11 с
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  • А.И. Романенко, О.Б. Аникеева, А.В. Окотруб, Л.Г. Булушева, В.Л. Кузнецов, Ю.В. Бутенко, А.Л. Чувилин, С. Dong, Y. Ni. ФТТ 44, 3, 468 (2002)
  • А.Г. Забродский. ФТТ, 11, 3, 595 (1977)
  • V.L. Kuznetsov, A.L. Chuvilin, Y.V. Butenko, I.Yu. Mal'kov, V.M. Titov. Chem. Phys. Lett. 222, 343 (1994)
  • F. Banhart. Phys. Solid State 44, 3, 399 (2002)
  • Д. Динс, Д. Виниард. Радиационные эффекты в твердых телах. ИЛ, М. (1960). 244 с
  • М. Томпсон. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. Мир, М. (1971). 368 с
  • Р.Ф. Коноплева, В.Л. Литвинов, Н.А. Ухин. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. Атомиздат, М. (1971). 176 с
  • Ig. Tamm. Z. Phys. 76, 11--12, 849 (1932)
  • И.М. Лифшиц, С.М. Пекар. УФН 4, 26, 556 (1955)
  • А.С. Крылов, Н.П. Шестаков, С.Б. Корчагина, С.С. Цегельник, Д.А. Знак, А.А. Латынина, И.А. Денисов, Н.В. Волков, С.К. Гордеев, П.И. Белобров. XVII Междунар. науч.-техн. конф. "Высокие технологии в промышленности России". М. (2011). С. 382
  • Н.И. Киселев, Д.А. Великанов, С.Б. Корчагина, Э.А. Петраковская, А.Д. Васильев, Л.А. Соловьев, Д.А. Балаев, О.А. Баюков, И.А. Денисов, С.С. Цегельник, Е.В. Еремин, Д.А. Знак, К.А. Шайхутдинов, А.А. Шубин, Н.П. Шестаков, Н.В. Волков, С.К. Гордеев, П.И. Белобров. Рос. хим. ж. LVI, 1--2 (2012)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.