Электропроводность и зонная структура тонких поликристаллических пленок EuS
Каминский В.В.1, Степанов Н.Н.1, Казанин М.М.1, Молодых А.А.1, Соловьев С.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Vladimir.Kaminski@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 29 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
На основании исследования электросопротивления тонких поликристаллических пленок EuS (толщина 0.4-0.8 mum) в диапазоне температур 120-480 K предложена модель зонной структуры данного вещества. Показано, что основными примесными уровнями в тонких поликристаллических пленках EuS являются уровни, отвечающие локализованным состояниям вблизи дна зоны проводимости, а также примесные донорные уровни Ei, соответствующие ионам Eu, находящимся вне регулярных узлов кристаллической решетки. При этом "хвост" локализованных состояний простирается по крайней мере до энергии -0.45 eV. Работа выполнена при поддержке РФФИ (грант N 11-08-00583-а), а также фирмы "SmS tenzotherm GmbH".
- В.В. Каминский, А.В. Голубков, М.М. Казанин, И.В. Павлов, С.М. Соловьев, Н.В. Шаренкова. Патент на изобрет. N 2303834. Приоритет изобрет. 22.06.2005
- В.В. Каминский, М.М. Казанин. Письма в ЖТФ 34, 8, 92 (2008)
- Л.Н. Васильев, В.В. Каминский, Ю.М. Курапов, М.В. Романова, Н.В. Шаренкова. ФТТ 38, 779 (1996)
- А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Г.М. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. Наука, Л. (1973). 304 с
- G. Busch, P. Junod, M. Risi, O. Vogt. Proc. Int. Conf. Semicond. Exeter. (1962). P. 727
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
