Влияние напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения на вид спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе GaN/InGaN, легированных Sm, Eu + Sm
Мездрогина М.М.1, Москаленко Е.С., Полетаев Н.К.1, Кожанова Ю.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Margaret.m@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
На основании результатов комплексных измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN<Sm>, определения концентрации и зарядового состояния легирующей примеси Sm показано, что увеличение напряженности магнитного поля и интенсивности возбуждения спектров микрофотолюминесценции приводят к увеличению интенсивности излучения и сдвигу максимума излучения в коротковолновую область спектра. Измерения спектров микрофотолюминесценции при варьировании напряженности внешнего магнитного поля и введении парамагнитной и магнитной примесей дают дополнительную информацию о механизмах формирования спектров излучения в структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN<Sm>, <Eu+Sm>. В длинноволновой области спектра в легированных Sm, Sm + Eu структурах InGaN/GaN влияние магнитного поля на вид спектров микрофотолюминесценции меньше, чем в коротковолновой области. Работа выполнена при поддержке гранта Президиума РАН "Сильно коррелированные системы".
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТТ 51, 2, 365 (2009)
- С.Ю. Карпов, К.А. Булашевич, В.Ф. Мымрин. Тез. докл. 5-й Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия, алюминия, структуры и приборы". СПб (2008). С. 94
- Н.И. Бочкарева, В.В. Воронков, Р.Н. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Леликов, Ф.Е. Латышев, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП 44, 6, 822 (2010)
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.Н. Родин. ФТТ 45, 9, 1556 (2003)
- Y. Fujywara, A. Nishikawa, Y. Terray. Advanced display technologies. Int. Symp. St. Petersburg State of Technology (Technical University), St. Petersburg (2010). P. 210
- Y. Liu, Ch. Xu, Q. Yang. J. Appl. Phys. 105, 084 701 (2009)
- М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТП 44, 3, 365 (2010)
- М.М. Мездрогина, Е.С. Москаленко, Ю.В. Кожанова. ФТТ 53, 8, 1596 (2011)
- В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ 48, 11, 2067 (2006).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
