Вышедшие номера
Многофононный механизм ионизации глубоких центров в HfO2
Новиков Ю.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.

В широком диапазоне электрических полей и температур теоретически изучался механизм переноса заряда в HfO2. Получено согласие экспериментальных данных с результатами расчета, основанными на теории многофононной ионизации глубоких центров.
  1. R.G. Southwick, III, J. Reed, C. Buu, R. Butler, G. Bersuker, W.B. Knowlton. IEEE Trans. Device Mater. Reliability 10, 201 (2010)
  2. S. Pan, S.-J. Ding, Y. Huang, Y.-J. Huang, D.W. Zhang, L.-K. Wang, R. Liu. J. Appl. Phys. 102, 073706 (2007)
  3. H.-C. You, T.-H. Hsu, F.-H. Ko, J.-W. Huang, W.-L. Yang, T.-F. Lei. IEEE Electron Device Lett. 27, 653 (2006)
  4. F.M. Yang, T.C. Chang, P.T. Liu, U.S. Chen, P.H. Yeh, Y.C. Yu, J.Y. Lin, S.M. Sze, J.C. Lou. Appl. Phys. Lett. 90, 222 104 (2007)
  5. L. Goux, P. Czarnecki, Y.Y. Chen, L. Pantisano, X.P. Wang, R. Degraeve, B. Govoreanu, M. Jurczak, D.J. Wouters, L. Altimime. Appl. Phys. Lett. 97, 243 509 (2010)
  6. P. Gonon, M. Mougenot, C. Vallee, C. Jorel, V. Jousseaume, H. Grampeix, F.E. Kamel. J. Appl. Phys. 107, 074 507 (2010)
  7. A.V. Vishnykov, Y.N. Novikov, V.A. Gritsenko, К.A. Nasyrov. Solid-State Electronics 53, 251 (2009)
  8. Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, К.А. Насыров. Письма в ЖЭТФ 89, 599 (2009)
  9. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. ПИЯФ РАН. СПб (1997). 376 с
  10. E. Ziemann, S.D. Ganichev, I.N. Yassievich, V.I. Perel, W. Prettl. J. Appl. Phys. 87, 3843 (2000)
  11. S. Makram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. B 25, 6406 (1982)
  12. К.А. Насыров, Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, C.Ю. Юн, Ч.В. Ким. Письма в ЖЭТФ 77, 455 (2003)
  13. Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov. Appl. Phys. Lett. 94, 222 904 (2009)
  14. Y. Zheng, A.T.S. Wee, Y.C. Ong, K.L. Pey, C. Troadec, S.J. O'Shea, N. Chandrasekhar. Appl. Phys. Lett. 92, 012 914 (2008)
  15. G. Bersuker, J. Sim, C.S. Park, C. Young, S. Nadkarni, R. Choi, B.H. Lee. IEEE Int. Reliability Phys. Symp. Proc. 44, 179 (2006)
  16. G. Ribes, J. Mitard, M. Denais, S. Bruyere, F. Monsieur, C. Parthasarathy, E. Vincent, G. Ghibaudo. IEEE Trans. Device Mater. Reliability 5, 5 (2005)
  17. G. Bersuker, J.H. Sim, C.D. Young, C.S. Park, R. Choi, P.M. Zeitzoff, G.A. Brown, B.H. Lee, R. Murto. Microel. Reliability 44, 1509 (2004)
  18. N.A. Chowdhury, D. Misra. J. Electrochem. Soc. 154, G30 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.