Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Многофононный механизм ионизации глубоких центров в HfO2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Email: nov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2012 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2013 г.
В широком диапазоне электрических полей и температур теоретически изучался механизм переноса заряда в HfO2. Получено согласие экспериментальных данных с результатами расчета, основанными на теории многофононной ионизации глубоких центров.
- R.G. Southwick, III, J. Reed, C. Buu, R. Butler, G. Bersuker, W.B. Knowlton. IEEE Trans. Device Mater. Reliability 10, 201 (2010)
- S. Pan, S.-J. Ding, Y. Huang, Y.-J. Huang, D.W. Zhang, L.-K. Wang, R. Liu. J. Appl. Phys. 102, 073706 (2007)
- H.-C. You, T.-H. Hsu, F.-H. Ko, J.-W. Huang, W.-L. Yang, T.-F. Lei. IEEE Electron Device Lett. 27, 653 (2006)
- F.M. Yang, T.C. Chang, P.T. Liu, U.S. Chen, P.H. Yeh, Y.C. Yu, J.Y. Lin, S.M. Sze, J.C. Lou. Appl. Phys. Lett. 90, 222 104 (2007)
- L. Goux, P. Czarnecki, Y.Y. Chen, L. Pantisano, X.P. Wang, R. Degraeve, B. Govoreanu, M. Jurczak, D.J. Wouters, L. Altimime. Appl. Phys. Lett. 97, 243 509 (2010)
- P. Gonon, M. Mougenot, C. Vallee, C. Jorel, V. Jousseaume, H. Grampeix, F.E. Kamel. J. Appl. Phys. 107, 074 507 (2010)
- A.V. Vishnykov, Y.N. Novikov, V.A. Gritsenko, К.A. Nasyrov. Solid-State Electronics 53, 251 (2009)
- Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, К.А. Насыров. Письма в ЖЭТФ 89, 599 (2009)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. ПИЯФ РАН. СПб (1997). 376 с
- E. Ziemann, S.D. Ganichev, I.N. Yassievich, V.I. Perel, W. Prettl. J. Appl. Phys. 87, 3843 (2000)
- S. Makram-Ebeid, M. Lannoo. Phys. Rev. B 25, 6406 (1982)
- К.А. Насыров, Ю.Н. Новиков, В.А. Гриценко, C.Ю. Юн, Ч.В. Ким. Письма в ЖЭТФ 77, 455 (2003)
- Yu.N. Novikov, V.A. Gritsenko, K.A. Nasyrov. Appl. Phys. Lett. 94, 222 904 (2009)
- Y. Zheng, A.T.S. Wee, Y.C. Ong, K.L. Pey, C. Troadec, S.J. O'Shea, N. Chandrasekhar. Appl. Phys. Lett. 92, 012 914 (2008)
- G. Bersuker, J. Sim, C.S. Park, C. Young, S. Nadkarni, R. Choi, B.H. Lee. IEEE Int. Reliability Phys. Symp. Proc. 44, 179 (2006)
- G. Ribes, J. Mitard, M. Denais, S. Bruyere, F. Monsieur, C. Parthasarathy, E. Vincent, G. Ghibaudo. IEEE Trans. Device Mater. Reliability 5, 5 (2005)
- G. Bersuker, J.H. Sim, C.D. Young, C.S. Park, R. Choi, P.M. Zeitzoff, G.A. Brown, B.H. Lee, R. Murto. Microel. Reliability 44, 1509 (2004)
- N.A. Chowdhury, D. Misra. J. Electrochem. Soc. 154, G30 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
