Экспериментально исследованы свойства стимулированной эмиссии в симметричной гетероструктуре Al₂O₃/AlN/Al_0.65Ga_0.35N/AlN/Al₂O₃ в спектральном диапазоне λ=350-700 nm при комнатной температуре. Активная среда представляет собою симметричный планарный волновод, образованный двумя идентичными сильнолегированными структурами Al_0.65Ga_0.35N/AlN/Al₂O₃, плотно прижатыми друг к другу активными слоями. Излучение выводилось через боковую поверхность (посредством вытекающих мод) и через торец структуры (в виде направляемых мод). При оптической накачке излучением λ=266 nm структура демонстрирует усилительные свойства с коэффициентом оптического усиления g~41 cm^-1 при плотности мощности накачки P_p=460 kW/cm². Спектр стимулированного излучения представляет собой широкую полосу, содержащую пики, обусловленные модовой структурой излучения и возбуждением ортогонально поляризованных волноводных TE- и TM-мод. Квантовая эффективность выходного стимулированного излучения составляет eta~20 %. Угловая расходимость пучка равна 15^o в плоскости структуры и 18^o в перпендикулярном направлении. Ключевые слова: сильнолегированные структуры Al_xGa_1-xN, симметричный планарный волновод, оптическое усиление.