Теоретически исследована зависимость коэффициента отражения при встречном четырехволновом взаимодействии в фоторефрактивном полупроводнике GaAs от его пространственной ориентации. Для расчетов использовались уравнения связанных волн, при составлении которых допускалось, что в кристалле формируются вторичные комбинированные голографические решетки с фазово-амплитудной структурой. В теоретической модели учитывался совместный вклад линейного электрооптического, фотоупругого, обратного пьезоэлектрического эффектов, а также естественное поглощение регистрирующей среды. Установлено, что при использовании полупроводника GaAs максимальная эффективность дифракции при встречном четырехволновом взаимодействии достигается в случае, когда нормаль к плоскости среза кристалла ориентирована вдоль одного из направлений < 234>. В случае, когда нормаль к плоскости среза направлена вдоль < 112> и < 111>, коэффициент отражения может достигать, соответственно, 90% и 80% от максимально возможной величины. Ключевые слова: четырехволновое взаимодействие, обращение волнового фронта, фоторефрактивный кристалл, коэффициент отражения, уравнения связанных волн.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.