Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2025, выпуск 4 » Статья стр. 390
<<<>>>
Физические аспекты изменений в светоизлучающих структурах с InGaN/GaN квантовыми ямами при нагреве и кратковременных электрических воздействиях
Иванов А.М. 1, Клочков А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru, alex.klo@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 ноября 2024 г.
В окончательной редакции: 12 февраля 2024 г.
Принята к печати: 24 февраля 2025 г.
Выставление онлайн: 26 мая 2025 г.
PDF версия
Экспериментально подтверждена возможность улучшения оптических характеристик на начальных этапах старения нитридных квантоворазмерных структур путем нагрева, не превышающего 84oС. Сконструированная камера позволяла проводить температурные измерения относительных изменений внешней квантовой эффективности и спектральной плотности низкочастотного шума при нагреве до 100oС. Наблюдаемые улучшения внешней квантовой эффективности и оптической мощности ультрафиолетовых светодиодов происходят при более мягких термических воздействиях, чем в синих светодиодах. Объяснения полученных результатов строятся на изменениях в туннельном транспорте носителей в квантовые ямы и взаимодействии возникающих в них дефектов с индием. Ключевые слова: внешняя квантовая эффективность, скачковая туннельная проводимость, низкочастотный шум.
  1. M-J. Lai, Y-T. Chang, S-C. Wang, S-F. Huang, R-S. Liu, X. Zhang, L-C. Chen, R-M. Lin. Molecules, 27, 7596 (2022). DOI: 10.3390/molecules27217596
  2. Н.М. Шмидт, Е.И. Шабунина, А.Е. Черняков, А.Е. Иванов, Н.А. Тальнишних, А.Л. Закгейм. Письма в ЖТФ, 46 (24), 45 (2020). DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24 [N.M. Shmidt, E.I. Shabunina, A.E. Chernyakov, A.E. Ivanov, N.A. Tal'nishnikh, A.L. Zakgeim. Tech. Phys. Lett., 46 (12), 1253 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020120275]
  3. Д.С. Сизов, В.С. Сизов, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, А.В. Фомин, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов. ФТП, 39 (4), 492 (2005). [D.S. Sizov, V.S. Sizov, E.E. Zavarin, V.V. Lundin, A.V. Fomin, A.F. Tsatsul'nikov, N.N. Ledentsov. Semiconductors, 39 (4), 467 (2005)]
  4. Б.И. Якубович. Надежность, 17 (2), 31 (2017). DOI: 10.21683/1729-2646-2017-17-2-31-35
  5. B. v Saulys, J. Matukas, V. Palenskis, S. Pralgauskaite, G. Kulikauskas. Acta Phys. Pol. A, 119 (4), 514 (2011). DOI: 10.12693/APhysPolA.119.514
  6. Ф.И. Маняхин. ФТП, 52 (3), 378 (2018). DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24 [F.I. Manyakhin. Semiconductors, 52 (3), 359 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618030168]
  7. J. Ruschel, J. Glaab, B. Beidoun, N.L. Ploch, J. Rass, T. Kolbe, A. Knauer, M. Weyers, S. Einfeldt, M. Kneissl. Photonics Res., 7 (7), B36 (2019). DOI: 10.1364/PRJ.7.000B36
  8. N. Renso, C. De Santi, A. Caria, F. Dalla Torre, L. Zecchin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. J. Appl. Phys., 127, 185701 (2020). DOI: 10.1063/1.5135633
  9. Nichia Corporation Specifications for UV LED NSPU510CS. [Электронный ресурс]. URL: https://led-ld.nichia.co.jp/en/product/led_product_data.html? type=NSPU510CS+%28375nm%29\&kbn=1
  10. А.М. Иванов. ЖТФ, 91 (1), 76 (2021). DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24 [A.M. Ivanov. Tech. Phys., 66 (1), 71 (2021). DOI: 10.1134/S1063784221010114]
  11. A.M. Ivanov, G.V. Nenashev, A.N. Aleshin. J. Mater Sci.: Mater. Electron., 33, 21666 (2022). DOI: 10.1007/s10854-022-08955-7
  12. Q. Lv, J. Gao, X. Tao, J. Zhang, C. Mo, X. Wang, C. Zheng, J. Liu. J. Lumin., 222, 117186 (2020). DOI: 10.1016/j.jlumin.2020.117186
  13. P. Sahare, B.K. Sahoo. AIP Conf. Proc., 2220, 040008 (2020). DOI: 10.1063/5.0001262
  14. M. Shatalov, G. Simin, V. Adivarahan, A. Chitnis, S. WU, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, K. Simin, J.P. Zhang, J.W. Yang, M.A. Khan. Jpn. J. Appl. Phys., 41 (8), 5083 (2002)
  15. A.E. Chernyakov, M.E. Levinshtein, N.A. Talnishnikh, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt. J. Cryst. Growth., 401, 302 (2014). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.11.097
  16. Н.И. Бочкарева, Ю.Г. Шретер. ФТТ, 64 (3), 371 (2022). DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24 [N.I. Bochkareva, Y.G. Shreter. Phys. Solid State, 64 (3), 371 (2022). DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24]
  17. P. Tian, J.J.D. McKendry, J. Herrnsdorf, S. Watson, R. Ferreira I.M. Watson, E. Gu, A.E. Kelly, M.D. Dawson. Appl. Phys. Lett., 105, 171107 (2014). DOI: 10.1063/1.4900865
  18. Н.И. Солин, С.В. Наумов, ФТТ, 45 (3), 460 (2003). [N.I. Solin, S.V. Naumov. Phys. Solid State, 45 (3), 486 (2003). DOI: 10.1134/1.1562235]
  19. M. Buffolo, A. Caria, F. Piva, N. Roccato, C. Casu, C. De Santi, N. Trivellin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. Phys. Status Solidi A, 219, 2100727 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202100727
  20. L. Huang, T. Yu, Z. Chen, Z. Qin, Z. Yang, G. Zhang. J. Lumin., 129 (12), 1981 (2009). DOI: 10.1016/j.jlumin.2009.04.078
  21. C. Casu, M. Buffolo, A. Caria, C. De Santi, E. Zanoni, G. Meneghesso, M. Meneghini. Micromachines, 13 (8), 1266 (2022). DOI: 10.3390/mi13081266
  22. J. Huang, W. Liu, L. Yi, M. Zhou, D. Zhao, D. Jiang. Superlattices and Microstruct., 113, 534 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2017.11.036
  23. Н.А. Тальнишних, А.Е. Иванов, Е.И. Шабунина, Н.М. Шмидт. Опт. и спектр., 131 (11), 1499 (2023). DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24 [N.A. Tal'nishnikh, A.E. Ivanov, E.I. Shabunina, N.M. Shmidt. Opt. Spectrosc., 131 (11), 1423 (2023). DOI: 10.61011/OS.2025.04.60535.7296-24].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme