Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование связи концентрации дефектов светоизлучающих InGaN/GaN гетероструктур с параметрами ватт-амперной характеристики

Фролов И.В.

¹, Сергеев В.А.

¹, Радаев О.А.

¹, Казанков А.А.

^1,2

¹Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Ульяновск, Россия Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Ulyanovsk Branch), Russian Academy of Sciences, Ulyanovsk, Russia

Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Ulyanovsk Branch), Russian Academy of Sciences, Ulyanovsk, Russia

²Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия Ulyanovsk State Technical University, Ulyanovsk, Russia

Email: ilya-frolov88@mail.ru, sva@ulstu.ru, oleg.radaev.91@mail.ru, kazanaa1992@mail.ru

Поступила в редакцию: 3 мая 2024 г.

В окончательной редакции: 25 июля 2024 г.

Принята к печати: 30 октября 2024 г.

Выставление онлайн: 9 января 2025 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что параметр функции, аппроксимирующей ватт-амперную характеристику светодиода InGaN/GaN в диапазоне малых токов, определяющий степень нелинейности ватт-амперной характеристики, обратно пропорционален корню квадратному из концентрации дефектов гетероструктуры. Эта зависимость подтверждена экспериментально установленными сильными корреляционными связями указанного параметра с уровнем низкочастотного шума светодиодов и параметрами неоднородности свечения гетероструктур в режиме микроплазменного пробоя. Указанный параметр может использоваться для оценки дефектности светоизлучающих гетероструктур. Ключевые слова: светоизлучающая гетероструктура, концентрация дефектов, ватт-амперная характеристика, низкочастотный шум, микроплазменный пробой.

C.D. Santi, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni. Microelectronics Reliability, 64, 623 (2016). DOI: 10.1016/j.microrel.2016.07.118
R.I. Made, Yu Gao, G.J. Syaranamual, W.A. Sasangka, L. Zhang, Xuan Sang Nguyen, Y.Y. Tay, J.S. Herrin, C.V. Thompson, C.L. Gan. Microelectronics Reliability, 76--77, 561 (2017). DOI: 10.1016/j.microrel.2017.07.072
А.А. Богданов. Светотехника, 1, 13-22 (2015)
В.А. Косарев. Вестник УлГТУ, 1, 30 (2020)
В.А. Сергеев, О.А. Радаев, И.В. Фролов. Приборы и техника эксперимента, 6, 103 (2023). DOI: 10.31857/S0032816223060071
L.-W. Xu, K.-Y. Qian. IEEE Photonics J., 9 (4), 8201309 (2017). DOI: 10.1109/JPHOT.2017.2703851
A.V. Belyakov, A.V. Klyuev, A.V. Yakimov. Fluctuation and Noise Letters, 16 (3) 1750030 (2017). DOI: 10.1142/S0219477517500304
A.V. Klyuev, A.V. Yakimov. Physica B: Condensed Matter, 440, 145 (2014). DOI: 10.1016/j.physb.2014.01.021
S. Sawyer, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur, N. Pala, Yu. Bilenko, J.P. Zhang, X. Hu, A. Lunev, J. Deng, R. Gaska. J. Appl. Phys., 100, 034504 (2006). DOI: 10.1063/1.2204355
Z.L. Li, S. Tripathy, P.T. Lai, H.W. Choi. J. Appl. Phys., 106, 094507 (2009). DOI: 10.1063/1.3253754
В.П. Велещук, А.И. Власенко, М.П. Киселюк, О.В. Ляшенко. Журнал прикладной спектроскопии, 80 (1), 121 (2013)
О.А. Радаев, В.А. Сергеев, И.В. Фролов. Физические основы приборостроения. 12 (3), 23-27 (2023). DOI: 10.25210/jfop-2303-UMNPWQ. EDN: UMNPWQ
В.А. Сергеев, И.В. Фролов, А.А. Широков. Известия вузов. Электроника, 20 (6), 598-606 (2015)
А.А. Казанков, В.А. Сергеев, И.В. Фролов. В сб.: Вузовская наука в современных условиях (УлГТУ, Ульяновск, 2023), с. 69

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель