Экспериментально изучены параметры стимулированного излучения в Al_0.65Ga_0.35N/AlN/Al₂O₃-гетероструктуре в широком спектральном диапазон 370-670 nm при комнатной температуре, образующейся при поперечной импульсной накачке излучением с длиной волны 266 nm, длительностью импульсов 8 ns и частотой повторения 10 Hz. Легированная кремнием до концентрации n_Si~1.5·10²⁰ cm^-3 Al_0.65Ga_0.35N-пленка толщиной 1.1 μm представляет собой асимметричный планарный волновод, обладающий усилительными свойствами с коэффициентом усиления ~10 cm^-1. Квантовая эффективность стимулированного излучения составила eta~18% при величине мощности оптической накачки P_p=100 kW/cm² и выводом стимулированного излучения через подложку. Спектр излучения состоит из совокупности эквидистантных пиков, каждый из них состоит из суммы двух плоских TE- и TM-волн. Эти волны распространяются зигзагообразно из-за внутреннего отражения на границах структуры. Получена узкая угловая расходимость 5.3^o стимулированного излучения в перпендикулярном направлении к плоскости структуры, a в параллельном направлении расходимость составляет 20^o. Ключевые слова: сильнолегированные структуры Al_xGa_1-xN, планарный волновод, оптическое усиление, донорно-акцепторная рекомбинация.