Оптика и спектроскопия
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
Сравнение результатов оптических и электрофизических измерений концентрации электронов проводимости в образцах n-InSb
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Высоко чувствительная оптическая спектроскопия конденсированных сред и наноматериалов со сверхвысоким спектральным, временным и пространственным разрешением, № FFUU-2022-0003
1Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (АО "Гиредмет" им. Н.П. Сажина), Москва, Россия 
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
Email: klimin@isan.troitsk.ru
Поступила в редакцию: 13 сентября 2024 г.
В окончательной редакции: 13 сентября 2024 г.
Принята к печати: 27 сентября 2024 г.
Выставление онлайн: 21 ноября 2024 г.
Исследованы спектры инфракрасного отражения монокристаллических образцов n-InSb, легированных теллуром, при комнатной температуре. С помощью дисперсионного анализа получены спектральные зависимости действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости и построена функция потерь. Определены значения характеристического волнового числа, отвечающего высокочастотной плазмон-фононной моде и вычислены значения оптической концентрации электронов Nopt. На тех же образцах выполнены электрофизические измерения по методу Ван дер Пау при комнатной температуре и определены значения холловской концентрации NHall. Показано, что для всех исследованных образцов оптическая концентрация превышает холловскую. Высказано предположение, что приповерхностные слои образцов обогащены свободными электронами. Оценена толщина приповерхностного слоя образца, в котором формируется отраженный световой сигнал, и показано, что она не превышает 1 μm. Ключевые слова: n-InSb, спектры отражения, плазмон-фононное взаимодействие, метод Ван дер Пау, концентрация свободных электронов.
- B.B. Varga. Phys. Rev. A, 137, 1896 (1965). DOI: 10.1103/Phys. Rev.137.A1896
- K.S. Singwi, M.P. Tosi. Phys. Rev., 147 (2), 658 (1966). DOI: 10.1103/Phys.Rev.147.658
- I.M. Belova, A.G. Belov, V.E. Kanevskii, A.P. Lysenko. Semiconductors, 52 (15), 1942 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618150034
- T.G. Yugova, A.G. Belov, V.E. Kanevskii, E.I. Kladova, S.N. Knyazev, I.B. Parfent'eva. Modern Electronic Materials, 7 (3), 79 (2021). DOI: 10.3897/j.moem.7.3.76700
- T.G. Yugova, A.G. Belov, V.E. Kanevskii, E.I. Kladova, S.N. Knyazev. Modern Electronic Materials, 6 (3), 85 (2020). DOI: 10.3897/j.moem.6.3.64492
- А.Г. Белов, Е.В. Молодцова, С.С. Кормилицина, Р.Ю. Козлов, Е.О. Журавлев, С.А. Климин, Н.Н. Новикова, В.А. Яковлев. Опт. и спектр., 131 (7), 919 (2023). DOI: 10.21883/OS.2023.07.56126.4318-23
- A.G. Belov, V.E. Kanevskii, E.I. Kladova, S.N. Knyazev, N.Yu. Komarovskiy, I.B. Parfent'eva. E.V. Chernyshova. Modern Electronic Materials, 9 (2), 69 (2023). DOI: 10.3897/j.moem.9.2.109743
- Н.Ю. Комаровский, Е.В. Молодцова, А.Г. Белов, М.Б. Гришечкин, Р.Ю. Козлов, С.С. Кормилицина, Е.О. Журавлев, М.С. Нестюркин. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 89 (8), 38 (2023) DOI: 10.26896/1028-6861-2023-89-8-38-46
- Н.Ю. Комаровский, А.Г. Белов, Е.И. Кладова, С.Н. Князев, Е.В. Молодцова, И.Б. Парфентьева, А.А. Трофимов. Прикладная физика, 6, 54 (2023). DOI: 10.51368/1996-0948-2023-6-54-59
- Z. Zhu, Y. Cheng, and U. Schwingenschlogl. Phys. Rev. B, 85, 235401 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevB.85.235401
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
