Особенности магнитооптических эффектов Фарадея и Керра в наноразмерных пленках Y3Fe5O12 и подложках Gd3Ga5O12, Nd3Ga5O12
Министерство науки и высшего образования РФ , Спин, 122021000036-3
Сухоруков Ю.П.
1, Телегин А.В.
1, Лобов И.Д.
1, Коровин А.М.
21Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: suhorukov@imp.uran.ru, telegin@imp.uran.ru, i_lobov@imp.uran.ru, Amkorovin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 29 июля 2024 г.
Принята к печати: 29 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2024 г.
Магнитооптические эффекты Фарадея и Керра для сверхтонких пленок железоиттриевого граната Y3Fe5O12 и монокристаллических подложек Gd3Ga5O12 и Nd3Ga5O12 были исследованы в видимой области спектра 1.3<E<4.5 eV в полях до 1 Т. Определена постоянная Верде для подложек Gd3Ga5O12 и Nd3Ga5O12, которая для энергии 3.5 eV достигает +1048 min/(T·сm) и -4000 min/(T·сm) соответственно. Исследованы особенности спектров эффекта Фарадея и Керра для тонкопленочных структур Y3Fe5O12/Gd3Ga5O12 и Y3Fe5O12/Nd3Ga5O12, связанные с магнитооптическими свойствами немагнитных диэлектрических подложек. Показано, что при исключении вклада от подложек спектральные и полевые зависимости магнитооптических эффектов в наноразмерных пленках соответствуют данным для объемного Y3Fe5O12. Проведена оценка релаксационного слоя и показано, что даже наноразмерные пленки, соразмерные с толщиной критического слоя, могут обладать удельным фарадеевским вращением (~15-20 deg/μm), близким к объемным материалам, что демонстрирует высокое качество полученных образцов. Ключевые слова: эффект Фарадея, эффект Керра, железоиттриевый гранат, постоянная Верде, тонкие пленки, интерфейсные явления.
- A.K. Zvezdin, V.A. Kotov. Modern magnetooptics and magnetooptical materials (Institute of Physics Publishing: Bristol, Philadelphia, USA, 1997), p. 381. DOI: 10.1887/075030362x
- B.J.H. Stadler, T. Mizumoto. IEEE Photonics Journal, 6 (1), 0600215 (2014). DOI: 10.1109/JPHOT.2013.2293618
- S. Kharatian, H. Urey, M. Onbasli. Adv. Optical Mater., 19013481 (2019). DOI: 10.1002/adom.201901381
- В.Б. Новиков, А.М. Ромашкина, Д.А. Езенкова, И.A. Родионов, К.Н. Афанасьев, А.В. Барышев, Т.В. Мурзина. Опт. и спектр., 128 (9) 1369 (2020). DOI: 10.21883/OS.2020.09.49878.98-20 [V.B. Novikov, A.M. Romashkina, T.V. Murzina, D.A. Ezenkova, I.A. Rodionov, K.N. Afanas'ev, A.V. Baryshev. Opt. Spectr. 128 (9), 1481 (2020) DOI: 10.1134/S0030400X20090155]
- V.A. Kotov, V.G. Shavrov, A.F. Popkov, M. Vasiliev, K. Alameh, M. Nur-E-Alam, L.N. Alyabyeva, D.E. Balabanov, V.I. Burkov, M.K. Virchenko. J. of Nanomaterials, 7605620 (2018). DOI: 10.1155/2018/7605620
- J.H. Van der Merwe. Lattice mismatch and bond strength at the interface between oriented films and substrates (Pergamon Press, Oxford, London, New York, Paris, 1964) p. 172
- V. Berzhansky, T. Mikhailova, A. Shaposhnikov, A. Prokopov, A. Karavainikov, V. Kotov, D. Balabanov, V. Burkov. Appl. Opt., 52 (26), 6599 (2013). DOI: 10.1364/AO.52.006599
- S.M. Suturin, A.M. Korovin, V.E. Bursian, L.V. Lutsev, V. Bourobina, N.L. Yakovlev, M. Montecchi, L. Pasquali, V. Ukleev, A. Vorobiev, A. Devishvili, N.S. Sokolov. Phys. Rev. Mat., 2, 104404 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.2.104404
- A.K. Zvezdin, S.V. Koptsik, G.S. Krinchik, R.Z. Levitin, V.A. Lyskova, A.I. Popov. JETP Lett., 37 (7), (1983)
- K.M. Mukimov, B.Yu. Sokolov, U.V. Valiev. Phys. Stat. Sol. (a), 119 (1), 307 (1990). DOI: 10.1002/pssa.2211190136
- M. Guillot, X. Wei, D. Hall, Y. Xu, J.H. Yang, F. Zhang. J. Appl. Phys., 93 (10), 8005 (2003). DOI: 10.1063/1.1558086
- P. Novotn., M. Kvrivzankova, P. Bohavcek. J. Analytical Sciences, Methods and Instrumentation, 3, 13 (2013). DOI: 10.4236/jasmi.2013.31003
- N.S. Sokolov, V.V. Fedorov, A.M. Korovin, S.M. Suturin, D.A. Baranov, S.V. Gastev, B.B. Krichevtsov, K.Yu. Maksimova, A.I. Grunin, V.E. Bursian, L.V. Lutsev, M. Tabuchi. J. Appl. Phys., 119, 023903 (2016). DOI: 10.1063/1.4939678
- B.B. Krichevtsov, A.M. Korovin, S.M. Suturin, A.V. Telegin, I.D. Lobov, N.S. Sokolov. Thin Solid Films, 756, 139346 (2022). DOI: 10.1016/j.tsf.2022.139346
- B.B. Krichevtsov, S.V. Gastev, S.M. Suturin, V.V. Fedorov, A.M. Korovin, A.G. Bursian, M.P. Banshchikova, M. Volkova, V.E. Tabuchi, N.S. Sokolov. Science and Technology of advanced Materials, 18 (1), 351 (2017). DOI: 10.1080/14686996.2017.1316422
- T. Yoshimoto, T. Goto, K. Shimada, B. Iwamoto, Y. Nakamura, H. Uchida, C.A. Ross, M. Inoue. Adv. Electron. Mater., 4 (7), 1800106 (2018). DOI: 10.1002/aelm.201800106
- F.F. Sizov, Yu.I. Ukhanov. Magneto-optical Faraday and Voigt effects as applied to semiconductors. (Naukova Dumka, Kiev, 1979) [in Russian]
- N.F. Borrelli. J. Chem. Phys., 41 (11), 3289 (1964). DOI: 10.1063/1.1725727
- M. Sabbaghi, G.W. Hanson, M. Weinert, F. Shi, C. Cen. J. Appl. Phys., 127, 025104 (2020). DOI: 10.1063/1.5131366
- W. Wang. J. Appl. Phys., 102, 063905 (2007). DOI: 10.1063/1.2781525
- V.V. Randoshkin, N.V. Vasil'eva, V.G. Plotnichenko, Yu.N. Pyrkov, S.V. Lavrishchev, M.A. Ivanov, A.A. Kiryukhin, A.M. Saletskii, N.N. Sysoev, Phys. Solid State, 46, 1030 (2004). DOI: 10.1134/1.1767239
- W. Wettling, B. Andlauer, P. Koidl, J. Schneider, W. Tolksdor. Phys. Status Solidi B, 59, 63 (1973). DOI: 10.1002/pssb.2220590105
- G.B. Scott, D.E. Lacklison, H.I. Ralph, J.L. Page. Physical Review B, 12 (7), 2562 (1975). DOI: 10.1103/PhysRevB.12.2562
- B. Andlauer, J. Schneider, W. Wettling. Appl. Phys., 10, 189 (1976). DOI: 10.1007/BF00897217
- S. Sumi, H. Awano, M. Hayashi. Scientific Reports, 8 (1), 776 (2018). DOI: 10.1038/s41598-017-18794-w
- S. Visnovsky, V. Prosser, R. Krishnan, V. Parizek, K. Nitsch, L. Svobodova. IEEE Trans. magn., 17 (6), 3205 (1981). DOI: 10.1109/TMAG.1981.1061610
- S. Visnovsky, R. Krishnan, V. Prosser. J. Appl. Phys., 49, 2212 (1978). DOI: 10.1063/1.324734
- W.K. Li, G.Y. Guo. Physical Review B, 103 (1), 014439 (2021). DOI: 10.1103/PhysRevB.103.014439
- Yu.P. Sukhorukov, A.V. Telegin, A.B. Granovskii, E.A. Gan'shina, S.V. Naumov, N.V. Kostromitina, L.V. Elokhina, J. Gonzalez. JETP., 111 (3), 353 (2010). DOI: 10.1134/S1063776110090037
- Yu. Sukhorukov, A. Telegin, N. Bebenin, V. Bessonov, S. Naumov, D. Shishkin, A. Nosov. Magnetochemistry, 8, 135 (2022). DOI: 10.3390/magnetochemistry8100135
- O.A. Petrenko, D. McK Paul, C. Ritter, T. Zeiske, M. Yethiraj. Physica B, 266, 41 (1999). DOI: 10.1088/1742-6596/145/1/012026
- B.B. Krichevtsov, V.E. Bursian, S.V. Gastev, A.M. Korovin, L.V. Lutsev, S.M. Suturin, K.V. Mashkov, M.P. Volkov, N.S. Sokolov. arXiv:1901.10800v1 [cond-mat.mes-hall]. DOI: 10.48550/arXiv.1901.10800
- A.K. Zvezdin, V.A. Kotov. Modern magnetooptics and magnetooptical materials (Institute of Physics Publishing, Bristol, Philadelphia, USA, 1997), p. 381. DOI: 10.1887/075030362x
- J.H. Van der Merwe. Lattice mismatch and bond strength at the interface between oriented films and substrates (Pergamon Press, Oxford, London, New York, Paris, 1964), p. 172
- A.K. Zvezdin, S.V. Koptsik, G.S. Krinchik, R.Z. Levitin, V.A. Lyskova, A.I. Popov. JETP Lett., 37 (7), (1983)
- N.S. Sokolov, V.V. Fedorov, A.M. Korovin, S.M. Suturin, D.A. Baranov, S.V. Gastev, B.B. Krichevtsov, K.Yu. Maksimova, A.I. Grunin, V.E. Bursian, L.V. Lutsev, M. Tabuchi. J. Appl. Phys., 119, 023903 (2016). DOI: 10.1063/1.4939678
- B.B. Krichevtsov, A.M. Korovin, S.M. Suturin, A.V. Telegin, I.D. Lobov, N.S. Sokolov. Thin Solid Films, 756, 139346 (2022). DOI: 10.1016/j.tsf.2022.139346
- B.B. Krichevtsov, S.V. Gastev, S.M. Suturin, V.V. Fedorov, A.M. Korovin, A.G. Bursian, M.P. Banshchikova, M. Volkova, V.E. Tabuchi, N.S. Sokolov. Science and Technology of Advanced Materials, 18 (1), 351 (2017). DOI: 10.1080/14686996.2017.1316422
- T. Yoshimoto, T. Goto, K. Shimada, B. Iwamoto, Y. Nakamura, H. Uchida, C.A. Ross, M. Inoue. Adv. Electron. Mater., 4 (7), 1800106 (2018). DOI: 10.1002/aelm.201800106
- F.F. Sizov, Yu.I. Ukhanov. Magneto-optical Faraday and Voigt effects as applied to semiconductors (Naukova Dumka, Kiev, 1979) [in Russian]
- N.F. Borrelli. J. Chem. Phys., 41 (11), 3289 (1964). DOI: 10.1063/1.1725727
- M. Sabbaghi, G.W. Hanson, M. Weinert, F. Shi, C. Cen. J. Appl. Phys., 127, 025104 (2020). DOI: 10.1063/1.5131366
- W. Wang. J. Appl. Phys., 102, 063905 (2007). DOI: 10.1063/1.2781525
- V.V. Randoshkin, N.V. Vasil'eva, V.G. Plotnichenko, Yu.N. Pyrkov, S.V. Lavrishchev, M.A. Ivanov, A.A. Kiryukhin, A.M. Saletskii, N.N. Sysoev. Phys. Solid State, 46, 1030 (2004). DOI: 10.1134/1.1767239
- W. Wettling, B. Andlauer, P. Koidl, J. Schneider, W. Tolksdor. Phys. Stat. Solidi B, 59, 63 (1973). DOI: 10.1002/pssb.2220590105
- G.B. Scott, D.E. Lacklison, H.I. Ralph, J.L. Page. Phys. Rev. B, 12 (7), 2562 (1975). DOI: 10.1103/PhysRevB.12.2562
- B. Andlauer, J. Schneider, W. Wettling. Appl. Phys., 10, 189 (1976). DOI: 10.1007/BF00897217
- S. Sumi, H. Awano, M. Hayashi. Sci. Rep., 8 (1), 776 (2018). DOI: 10.1038/s41598-017-18794-w
- S. Visnovsky, V. Prosser, R. Krishnan, V. Parizek, K. Nitsch, L. Svobodova. IEEE Trans. Magn., 17 (6), 3205 (1981). DOI: 10.1109/TMAG.1981.1061610
- S. Visnovsky, R. Krishnan, V. Prosser. J. Appl. Phys., 49, 2212 (1978). DOI: 10.1063/1.324734
- W.K. Li, G.Y. Guo. Phys. Rev. B, 103 (1), 014439 (2021). DOI: 10.1103/PhysRevB.103.014439
- Yu.P. Sukhorukov, A.V. Telegin, A.B. Granovskii, E.A. Gan'shina, S.V. Naumov, N.V. Kostromitina, L.V. Elokhina, J. Gonzalez. JETP, 111 (3), 353 (2010). DOI: 10.1134/S1063776110090037
- Yu. Sukhorukov, A. Telegin, N. Bebenin, V. Bessonov, S. Naumov, D. Shishkin, A. Nosov. Magnetochemistry, 8, 135 (2022). DOI: 10.3390/magnetochemistry8100135
- O.A. Petrenko, D. McK Paul, C. Ritter, T. Zeiske, M. Yethiraj. Physica B, 266, 41 (1999). DOI: 10.1088/1742-6596/145/1/012026
- B.B. Krichevtsov, V.E. Bursian, S.V. Gastev, A.M. Korovin, L.V. Lutsev, S.M. Suturin, K.V. Mashkov, M.P. Volkov, N.S. Sokolov. arXiv:1901.10800v1 [cond-mat.mes-hall]. DOI: 10.48550/arXiv.1901.10800
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.