В спектроскопических исследованиях гелий-неоновой плазмы, проведенных ранее, была обнаружена ярко выраженная селективность заселения уровня 3p₁ (по Пашену), верхнего из группы уровней конфигурации 2p⁵4p атома Ne. По мере роста давления гелия в линии 352.05 nm (3p₁-> 1s₂) концентрировалось до 60% интенсивности всех переходов 2p⁵4p-> 2p⁵3s. В настоящей работе предложен механизм роста относительной населенности уровня 3p₁ при увеличении давления He, связанный с особенностями столкновительной кинетики состояний 3p_i конфигурации 2p⁵4p. Причиной значительно более быстрого опустошения нижних уровней 3p_i (i ≥ 2) по сравнению с 3p₁, по-видимому, являются особенности взаимного расположения адиабатических термов системы Ne(2p⁵4p) + He(1s^{2 1}S₀). Механизм формирования селективного заселения уровня 3p₁, рассмотренный в данной работе, может реализоваться в смеси гелия с неоном и не может реализоваться в чистом неоне, что соответствует результатам спектроскопических исследований. Проведены модельные расчеты части спектра, относящейся к переходам 3p₁, 3p₄, 3p₂-> 1s_j, при фиксированном распределении потоков заселения состояний 3p₁, 3p₄, 3p₂ и различных давлениях гелия. Наблюдается хорошее соответствие результатов измерений и результатов численного моделирования. Ключевые слова: гелий-неоновая плазма, селективное заселение, неупругие столкновения атомов, адиабатические термы, численное моделирование заселения возбужденных состояний.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.