Вышедшие номера
Тепловое сопротивление светодиодов на основе узкозонного твердого раствора InAsSb
Закгейм А.Л.1, Климов А.А.2, Лухмырина Т.С.2, Матвеев Б.А.2, Черняков А.Е.1
1НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Chernyakov.anton@ya.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 25 сентября 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

Экспериментально исследовано тепловое сопротивление светодиодов среднего инфракрасного диапазона спектра на основе гетероструктур p-InAsSbP/n-InAsSb "флип-чип"-конструкции. Показано, что для светодиодов на основе узкозонных полупроводников измерение теплового сопротивления с использованием температурночувствительного параметра прямого напряжения на p-n-переходе необходимо проводить при пониженных температурах для обеспечения постоянства температурного коэффициента напряжения. Ключевые слова: средний ИК диапазон, ИК светодиоды, тепловое сопротивление, температурный коэффициент прямого напряжения.