Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Участие дефектов, локализованных на гетерограницах, и протяженных дефектов в деградации светоизлучающих приборов на основе нитридов

Тальнишних Н.А.¹, Иванов А.Е.¹, Шабунина Е.И.², Шмидт Н.М.²

¹НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research & Engineering Center, RAS, Saint-Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research & Engineering Center, RAS, Saint-Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: nadya.fel@mail.ru

Поступила в редакцию: 19 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 29 сентября 2023 г.

Принята к печати: 30 октября 2023 г.

Выставление онлайн: 12 января 2024 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально исследовано снижение внешней квантовой эффективности (ВКЭ) коммерческих светодиодов на основе квантоворазмерных структур InGaN/GaN на длину волны 445, 530 и AlGaN/GaN на 280 nm в стандартном режиме старения на постоянном токе. Выяснено, что снижение ВКЭ светодиодов (независимо от длины волны излучения) происходит в результате кооперативных явлений, развивающихся в 1-2 квантовых ямах (КЯ), находящихся в области объемного заряда (ООЗ) p-n-перехода, а также в большей части КЯ вне ООЗ. Показано, что неоднородное протекание тока в этих областях приводит не только к трансформации дефектов, локализованных на гетерограницах в ООЗ и в латеральных неоднородностях состава твердого раствора вне ООЗ, а также в протяженных дефектах, но и к изменению состава. Ключевые слова: InGaN/GaN, дефекты, светодиоды, AlGaN/GaN.

J. Rusche, J. Glaab, M. Brendel, J. Rass, C. Stolmacker, N. Lobo-Ploch, T. Kolbe, T. Wernicke, F. Mehnke, J. Enslin, S. Einfeldt, M. Weyers, M. Kneissl. J. Appl. Phys., 124 (8), 084504 (2018). DOI: 10.1063/1.5028047
Y-F. Su, S-Y. Yang, T-Y. Hung, C-C. Lee, K.-N. Chiang. Microelectronics Reliability, 52 (5), 794-803 (2012). DOI: 10.1016/j.microrel.2011.07.059
N. Renso, C. De Santi, A. Caria, F. Dalla Torre, L. Zecchin, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. J. Appl. Phys., 127 (18), 185701 (2020). DOI: 10.1063/1.5135633
Ф.И. Маняхин. ФТП, 52 (3), 378-384 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45625.8341
F.E. Schubert. Light-emitting diodes, 2nd ed. (Cambridge University Press, Cambridge, UK, 2006), p. 415
Е.И. Шабунина, А.Е. Черняков, А.Е. Иванов, А.П. Карташова, В.И. Кучинский, Д.С. Полоскин, Н.А. Тальнишних, Н.М. Шмидт, А.Л. Закгейм. Прикладная спектроскопия, 90 (1), 29 (2023). DOI: 10.47612/0514-7506-2023-90-1-29-34
В.Н. Абакумов, А.А. Пахомов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 25 (9), 1489-1515 (1991)
С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (Издательство Московского университета, М., 1995)
А.Л. Закгейм, А.Е. Иванов, А.Е. Черняков. Письма в ЖТФ, 47 (16), 32-35 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.16.51326.18795
K.N. Tu, Yingxia Liu, Menglu Li. Appl. Phys. Rev., 4 (1), 011101 (2017). DOI: 10.1063/1.4974168

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель