Оптика и спектроскопия
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
Оценка неоднородности распределения плотности тока и температуры в структурах биполярных и гетеробиполярных высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов по рекомбинационному излучению
Российский научный фонд, 22-29-01134
Сергеев В.А.
1, Фролов И.В.
1, Казанков А.А.
2
1Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Ульяновск, Россия 
2Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия
2Ульяновский государственный технический университет, Ульяновск, Россия
Email: sva@ulstu.ru, ilya-frolov88@mail.ru, kazankov1992@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 19 июня 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 12 января 2024 г.
Исследованы параметры рекомбинационного излучения, возникающего в структурах биполярных транзисторов в импульсном и стационарном режимах работы. Получены яркостные профили распределения рекомбинационного излучения структуры при включении биполярных транзисторов в диодном режиме, позволяющие оценить неоднородность распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации. На примере транзисторов КТ504А показано, что яркостные профили рекомбинационного излучения эмиттерного перехода в диодном включении хорошо описываются выражениями для распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации. Ключевые слова: биполярные и гетеробиполярные транзисторы, рекомбинационное излучение, распределение тока, неоднородность.
- В.А. Сергеев. Известия вузов. Электроника, 3, 22 (2005)
- В.А. Сергеев. Известия Самарского научного центра РАН, 2, 344 (2005)
- V.A. Sergeev, A.M. Khodakov. J. Commun. Technol. and Electron., 67 (11), 1400 (2022). DOI: 10.1134/S1064226922110122
- M. Harris, B. Wagner, S. Halpern, M. Dobbs, C. Pagel, B. Stuffle, J. Henderson. 1999 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 37th Annual (Cat. No. 99CH36296) (San Diego, CA, USA), p. 127. DOI: 10.1109/RELPHY.1999.761603
- F. Schuermeyer, R. Fitch, R. Dettmer, J. Gillespie, C. Bozada, K. Nakano, J. Sewell, J. Ebel, T. Jenkins, L.L. Liou. Proc. 2000 IEEE/Cornell Conference on High Performance Devices (Cat. No. 00CH37122) (Ithaca, NY., USA, 2000), p. 45. DOI: 10.1109/CORNEL.2000.902518
- V. Sergeev, I. Frolov, O. Radaev. 2022 VIII Int. Conf. on Information Technology and Nanotechnology (ITNT) (Samara, 2022), p. 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
