Оптика и спектроскопия
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
Диагностика технологии оксидов титана и гафния методами люминесценции
Переводная версия: 10.21883/EOS.2023.01.55512.4086-22 
1Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия 
Email: bulyar2954@mail.ru, geog1@mail.ru, dudin.a@inme-ras.ru, dkoiva616@gmail.com, litkristy@gmail.com
Поступила в редакцию: 5 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 18 ноября 2022 г.
Принята к печати: 14 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 26 января 2023 г.
Показана роль вакансий кислорода в формировании полос люминесценции оксидов титана и гафния, а также продемонстрирована связь интенсивности полос люминесценции с условиями синтеза пленок этих материалов. Сделан вывод, что фотолюминесценция является очень чувствительным методом диагностики состава оксидов. Полосы люминеценции 2.45 eV в оксиде титана и 2.91 eV в оксиде гафния позволяют анализировать изменение состава пленок при различных технологических условиях их получения. Ключевые слова: вакансии кислорода, оксид титана, оксид гафния, фотолюминеценция.
- M.M. Frank, S. Kim, S.L. Brown, J. Bruley, M. Copel, M. Hopstaken, M. Chudzik, V. Narayanan. Microelectron. Eng., 86 (7--9), 1603 (2009). DOI: 10.1016/j.mee.2009.03.063
- S.S. Jiang, G. He, J. Gao, D.Q. Xiao, P. Jin, W.D. Li, J.G. Lv, M. Liu, Y.M. Liu, Z.Q. Sun. Ceram. Int., 42 (10), 11640 (2016). DOI: 10.1016/j.ceramint.2016.04.067
- R. Liu, S. Zollner, P. Fejes, R. Gregory, S. Lu, K. Reid, D. Gilmer, B.-Y. Nguyen, Z. Yu, R. Droopad. MRS Proc., 670 (2001). DOI: 10.1557/PROC-670-K1.1
- G. Pacchioni, S. Valeri. Oxide Ultrathin Films (Wiley, 2011). DOI: 10.1002/9783527640171
- C.M. Yim, C.L. Pang, G. Thornton. Phys. Rev. Lett., 104 (3), 36806 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevLett.104.036806
- A.C. Papageorgiou, N.S. Beglitis, C.L. Pang, G. Teobaldi, G. Cabailh, Q. Chen, A.J. Fisher, W.A. Hofer, G. Thornton. PNAS, 107 (6), 2391 (2010). DOI: 10.1073/pnas.0911349107
- N.S. Portillo-Velez, O. Olvera-Neria, I. Hernandez-Perez, A. Rubio-Ponce. Surf. Sci., 616, 115 (2013). DOI: 10.1016/j.susc.2013.06.006
- D.W. McNeill, S. Bhattacharya, H. Wadsworth, F.H. Ruddell, S.J.N. Mitchell, B.M. Armstrong, H.S. Gamble. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 19 (2), 119 (2008). DOI: 10.1007/s10854-007-9337-y
- Д. Вудраф, Т. Делчар. Современные методы исследования поверхности (Мир, М., 1989)
- S.V. Bulyarskiy, V.S. Gorelik, G.G. Gusarov, D.A. Koiva, A.V. Lakalin. Opt. Spectrosc., 128 (5), 590 (2020). DOI: 10.1134/S0030400X20050057
- X. Wang, Z. Feng, J. Shi, G. Jia, S. Shen, J. Zhou, C. Li. Phys. Chem. Chem. Phys.: PCCP, 12 (26), 7083 (2010). DOI: 10.1039/b925277k
- F.J. Knorr, C.C. Mercado, J.L. McHale. J. Phys. Chem. C, 112 (33), 12786 (2008). DOI: 10.1021/jp8039934
- M. Gallart, T. Cottineau, B. Honerlage, V. Keller, N. Keller, P. Gilliot. J. Appl. Phys., 124 (13), 133104 (2018). DOI: 10.1063/1.5043144
- C. Mercado, Z. Seeley, A. Bandyopadhyay, S. Bose, J.L. McHale. ACS Applied Materials \& Interfaces, 3 (7), 2281 (2011). DOI: 10.1021/am2006433
- B. Santara, P.K. Giri, K. Imakita, M. Fujii. J. Phys. Chem. C, 117 (44), 23402 (2013). DOI: 10.1021/jp408249q
- D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, V.N. Kruchinin, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, M.S. Lebedev. Phys. Solid State, 60 (10), 2050 (2018). DOI: 10.1134/S1063783418100098
- S.V. Bulyarskiy, D.A. Koiva, G.A. Rudakov, G.G. Gusarov. Physica Status Solidi (b), 259 (6), 2100407 (2022). DOI: 10.1002/pssb.202100407
- S. Pizzini. Physical Chemistry of Semiconductor Materials and Processes (John Wiley \& Sons, Ltd, Chichester, UK, 2015). DOI: 10.1002/9781118514610
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
