Вышедшие номера
Оптические свойства халькогенидных стекол системы Ga-Ge-Sb-Se, легированных ионами тербия и диспрозия, вблизи края полосы фундаментального поглощения
Российский научный фонд, 21-13-00194
Кузюткина Ю.С.1, Паршина Н.Д.1, Романова Е.А. 1, Кочубей В.И. 1, Суханов М.В.2, Кеткова Л.А.2, Ширяев В.С. 2
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: kuzyutkinays@gmail.com, nina-1999.nina@yandex.ru, elena_rmnv@yahoo.co.uk, saratov_gu@mail.ru, mrmaks@yandex.ru, ketkova@ihps-nnov.ru, shiryaev@ihps-nnov.ru
Поступила в редакцию: 5 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 7 октября 2022 г.
Принята к печати: 30 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 26 января 2023 г.

Измерен оптический отклик халькогенидных стекол состава Ga5Ge20Sb10Se65, легированных ионами редкоземельных элементов Tb3+ или Dy3+, в области длин волн 0.7-1.5 μm методом инфракрасной (ИК) спектроскопии. Рассчитаны параметры, характеризующие край полосы фундаментального поглощения стекол: оптическая ширина запрещенной зоны, параметры области Урбаха и области слабого поглощения. Установлено, что легирование в малых концентрациях (до 0.3 wt%) не влияет на оптические свойства стекол в области Урбаха и ширину запрещенной зоны, но в области слабого поглощения оптический отклик стекол зависит от концентрации активатора. Кристаллизация стекол, полученных методом прямого плавления, также зависит от концентрации активатора. В стеклах, легированных ионами Dy3+, полосы поглощения иона находятся в области слабого поглощения стекла, что делает возможным передачу энергии между ионами и связанными состояниями носителей заряда в запрещенной зоне. Ключевые слова: редкоземельные элементы, халькогенидные стекла, ширина запрещенной зоны, область Урбаха, область слабого поглощения, связанные состояния.