Локализованные экситоны в ZnMnO
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , The research funding from the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (Ural Federal University Program of Development within the Priority-2030 Program) is gratefully acknowledged.
Соколов В.И.
1, Груздев Н.Б.
1, Меньшенин В.В.
1, Вохминцев А.С.
2, Савченко С.С.
2, Вайнштейн И.А.
2, Емельченко Г.А.
31Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Россия
Email: visokolov@imp.uran.ru, nbgruzdev@mail.ru, menshenin@imp.uran.ru, a.s.vokhmintsev@urfu.ru, s.s.savchenko@urfu.ru, i.a.weinstein@urfu.ru, emelch@issp.ac.ru
Поступила в редакцию: 22 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 1 августа 2022 г.
Принята к печати: 1 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 19 декабря 2022 г.
Зарегистрированы линии a, b, c, d и край примесного поглощения ZnMnO для sigma- и π-поляризаций света в интервале температур 7-300 K. Интенсивные линии aπ и asigma уверенно наблюдаются в интервале 7-100 K, другие линии - только при низких температурах. Для определения типа оптических переходов, которым соответствуют данные экситонные линии, произведён расчёт сил осцилляторов наиболее интенсивных линий. Линии aπ и asigma имеют лоренцеву форму, параметры которой вычислены с помощью программы OriginPro 9.1. Определена энергия края примесного поглощения. Линии a, b, c и d анализировались в модели кластера Mn2+-4O2-. Оптические переходы происходят из антисвязывающих (p+d5)*-состояний в запрещённой щели в состояние, отщеплённое от дна зоны проводимости ZnMnO. Электронно-дырочные пары в пределах кластера названы локализованными экситонами. Ключевые слова: оксид цинка, локализованные экситоны, антисвязывающие состояния.
- F.W. Kleinlein, R. Helbig. Z. Physik, 266, 201 (1974)
- В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, В.А. Важенин, А.В. Фокин, А.В. Дружинин. ФТТ, 61 (5), 817 (2019). DOI: 10.21883/OS.2022.12.54085.3850-22 [V.I. Sokolov, N.B. Gruzdev, V.A. Vazhenin, A.V. Fokin, A.V. Druzhinin. Phys. Sol. St., 61 (5), 702 (2019). DOI: 10.1134/S1063783419050354]
- В.И. Соколов, Н.Б. Груздев, В.А. Важенин, А.В. Фокин, А.В. Королёв, В.В. Меньшенин. ЖЭТФ, 157(5), 814 (2020). DOI: 10.31857/S0044451020050077 [V.I. Sokolov, N.B. Gruzdev, V.A. Vazhenin, A.V. Fokin, A.V. Korolev, V.V. Menshenin. J. Exp. Theor. Phys., 130 (5), 681 (2020). DOI: 10.1134/S1063776120040123]
- И.Б. Берсукер. Электронное строение и свойства координационных соединений (Химия, Ленинград, 1976)
- G.F. Koster, J.C. Slater. Phys. Rev., 95, 1167 (1954)
- D.L. Dexter.Phys. Rev., 101 (1), 48 (1956)
- G. Lucovsky. Solid State Comm., 3, 299 (1965)
- H. Morkoc, А. Ozgur. Zinc Oxide (WILEY-VCN Verlag, Weinheim, 2009)
- K.A. Kikoin,V.N. Fleurov. Transition Meta lImpurities in Semiconductors (World Sci., Singapore,1994)
- V.I. Sokolov, K.A. Kikoin. Soviet Scientific Rev. A, 12, 147 (1989)
- V.I. Sokolov, N.B. Gruzdev, V.N. Churmanov, V.V. Menshenin, G.A. Emelchenko. Low Temperature Physics, 47 (1), 38 (2021)
- R.J. Robbins, P.J. Dean. Adv. Phys., 27, 499 (1978)
- S.G. Bishop, R.J. Robbins, P.J. Dean. Solid State Comm., 33, 119 (1980)
- G.G. Zegrya, V.F. Masterov. Phys. Techn. Semicond., 29, 1893 (1995)
- T. Mizokawa, T. Nambu, A. Fujimori, T. Fukumura, M. Kawasaki. Phys. Rev. B, 65, 085209 (2002). DOI:10.1103/PhysRevB.65.085209
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.