Вышедшие номера
Home » Оптика и спектроскопия » Год 2022, выпуск 8 » Статья стр. 1223
<<<>>>
Микрооптопара (λ = 3.4 μm) на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAs для измерения концентрации этанола в водном растворе методом МНПВО
DOI: 10.21883/OS.2022.08.52909.3236-22
Переводная версия: 10.21883/EOS.2022.08.54772.3236-22
Министерство науки и высшего образования РФ , программа по обеспечению проведения российскими научными организациями и (или) образовательными организациями высшего образования совместно с иностранными организациями научных исследований, 075-15-2021-936
Карандашев С.А. 1, Климов А.А. 1, Лухмырина Т.С. 1, Матвеев Б.А. 1, Ременный М.А. 1, Усикова А.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ksa08@yandex.ru, a.klimov@mail.ioffe.ru, t.lukhmyrina@ioffe.mail.ru, bmat@iropt3.ioffe.ru, Mremennyy@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 22 апреля 2022 г.
Принята к печати: 28 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 6 июля 2022 г.
PDF версия
Рассмотрены фотоэлектрические свойства микрооптопары, предлагаемой для применения в качестве датчика концентрации этанола в водном растворе, использующего метод многократно нарушенного полного внутреннего отражения (МНПВО). Микрооптопара представляет собой микрочип из монолитной двойной гетероструктуры p-InAsSbP/n-InAs c тремя мезами/индивидуальными диодами, выращенными на общей подложке n+-InAs, которая выполняла также и роль волновода. Два диода использовались в качестве фотодиодов, один - как светодиод. Для определения концентрации этанола в водном растворе были использованы алгоритмы калибровки и обработки данных, основанные на измерении и учете параметров вольтамперных характеристик фотодиодов и ватт-амперных характеристик светодиода. Ключевые слова: фотодиоды среднего ИК диапазона, светодиоды среднего ИК диапазона, микрооптопара, оптические датчики, датчик МНПВО.
  1. J. Hodgkinson, R.P. Tatam. Meas. Sci. Technol., 24 (1), 012004 (2012). DOI: 10.1088/0957-0233/24/1/012004
  2. F. Seichter, J. Vogt, E. Tutuncu, L.T. Hagemann, U. Wachter, M. Groger, S. Kress, P. Radermacher, B. Mizaikoff. J. Breath Res., 15 (2), 026013 (2021). DOI: 10.1088/1752-7163/ab8dcd/
  3. C.S. Huertas, O. Calvo-Lozano, A. Mitchell, L.M. Lechuga. Front. Chem., 7, 724 (2019). DOI: 10.3389/fchem.2019.00724
  4. Б.А. Матвеев, Г.Ю. Сотникова. Опт. и спектр., 127 (8), 300 (2019). DOI: 10.21883/OS.2019.08.48046.357-18 [B.A. Matveev, G.Yu. Sotnikova. Opt. Spectrosc, 127 (2), 322 (2019). DOI: 10.1134/S0030400X19080198]
  5. В.Н. Тарасов. Патент РФ N RU 2112228 C1, (1998)
  6. Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, А.М. Надточий, А.М. Харченко, М.М. Кулагина, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.В. Максимов, А.Е. Жуков. Письма в ЖТФ, 46 (13), (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.13.49582.18301
  7. С.А. Карандашев, Т.С. Лухмырина, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, А.А. Усикова. Опт. и спектр., 129 (9), 2599 (2021). DOI: 10.21883/OS.2021.09.51350.1961-21 [S.A. Karandashev, T.S. Lukhmyrina, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, A.A. Usikova. Opt. Spectrosc., 129 (9), 1333 (2021). DOI: 10.1134/S0030400X21090101]
  8. S.A. Karandashev, T.S. Lukhmyrina, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, A.A. Usikova. Phys. Status Sol. (a), 219 (2), 2100456 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202100456
  9. L. Chen, X. An, J. Jing, H. Jin, Z. Chu, K.H. Li. ACS Appl. Materials \& Interfaces, 12 (44), 49748 (2020). DOI: 10.1021/acsami.0c13144
  10. Directive 2011/65/EU of the European Parliament and of the Council of 8 June 2011 on the restriction of the use of certain hazardous substances in electrical and electronic equipment. Text with EEA relevance
  11. Г.А. Гаврилов, Б.А. Матвеев, Г.Ю. Сотникова. Письма в ЖТФ, 37 (18), 50 (2011). [G.A. Gavrilov, B.A. Matveev, G.Yu. Sotnikova. Tech. Phys. Lett., 37 (9), 866 (2011). DOI: 10.1134/S1063785011090197]
  12. С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный. ФТП, 53 (2), 147 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.02.47090.8799 [S.A. Karandashev, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, Semiconductors, 53 (2), 139 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619020131]
  13. I.C. Sandall, S. Zhang, C.H. Tan. Opt. Express, 21 (22), 25780 (2013). DOI: 10.1364/OE.21.025780
  14. X. Jia, J. Roels, R. Baets, G. Roelkens. Sensors, 21 (16), 5347 (2021). DOI: 10.3390/s21165347
  15. S. Karpov. Opt. Quantum Electron., 47 (6),1293 (2015). DOI: 10.1007/s11082-014-0042-9
  16. A. Krier, E. Repiso, F. Al-Saymari, P. Carrington, A. Marshall, L. Qi, S. Krier, K. Lulla, M. Steer, C. Mac Gregor et al. Mid-Infrared Optoelectronics (Elsevier, 2020), p. 59-90. DOI: 10.1016/B978-0-08-102709-7.00002-4

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme