Вышедшие номера
Особенности комбинационного рассеяния света эпитаксиальными пленками сульфида и сульфида-селенида свинца
Федоров А.В.1, Баранов А.В.1, Зимин С.П.2,3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
3Ярославский филиал Физико-технологического института им. К.А. Валиева РАН, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 2022 г.
В окончательной редакции: 23 января 2022 г.
Принята к печати: 7 февраля 2022 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2022 г.

Получены и проанализированы спектры комбинационного рассеяния (КР) эпитаксиальными пленками n-PbS(111) толщиной 1-2 μm, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках BaF2(111). Регистрация спектров проводилась при низком уровне возбуждения КР - 0.36 mW/μm2, не вызывающем фото- и термодеструкцию пленок. Показано, что в соответствии с правилами отбора по симметрии полосы в спектрах соответствуют обертонным или комбинационным тонам фононных мод PbS в особых точках зоны Бриллюэна. Проведен анализ полос оксидов и оксисульфатов свинца, которые могут маскировать полосы сульфида свинца. Полученные данные использованы при анализе зарегистрированных спектров комбинационного рассеяния эпитаксиальными пленками тройного твердого раствора PbS0.5Se0.5. Ключевые слова: комбинационное рассеяние света, низкий уровень возбуждения, фотоокисление, эпитаксиальные пленки, сульфид свинца, сульфид-селенид свинца.
  1. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (Наука, Москва, 1968)
  2. T.Fu. Sensors. Actuators B: Chemical, 140 (1), 116 (2009). DOI: 10.1016/j.snb.2009.03.075
  3. S. Kumar, Z.H. Khan, M.A. Majeed, K.M. Husain. Curr. Appl. Phys., 5, 561 (2005). DOI: 10.1016/j.snb.2009.03.075
  4. F.W. Wise. Acc. Chem. Res., 33, 773 (2000). DOI: 10.1021/ar970220q
  5. С.П. Зимин, Е.С. Горлачев. Наноструктурированные халькогениды свинца (Изд-во ЯрГУ, Ярославль, 2011)
  6. N. Sukharevska, D. Bederak, V.M. Goossens, J. Momand, H. Duim, D.N. Dirin, M.V. Kovalenko, B.J. Kooi, M.A. Loi. ACS Appl. Mater. Interfaces, 13, 5195 (2021). DOI: 10.1021/acsami.0c18204
  7. T. Blachowicz, A. Ehrmann. Appl. Sci., 10, 1743 (2020). DOI: 10.3390/app10051743
  8. X. Zhang, Y. Chen, L. Lian, Z. Zhang, Y. Liu, L. Song, C. Geng, J. Zhang, S. Xu. Nano Res., 14 (3), 628 (2021). DOI: 10.1007/s12274-020-3081-5
  9. A. Abu-Hariri, A.K. Budniak, F. Horani, E. Lifshitz. RSC Adv., 11, 30560 (2021). DOI: 10.1039/d1ra04402h
  10. H. Cao, G. Wang, S. Zhang, X. Zhang. Nanotechnology, 17, 3280 (2006). DOI: 10.1088/0957-4484/17/13/034
  11. J.-H. Chen, C.-G. Chao, J.-C. Ou, T.-F. Liu. Surface Science, 601, 5142 (2007). DOI: 10.1016/j.susc.2007.04.228
  12. J.-P. Ge, J. Wang, H.-X. Zhang, X. Wang, Q. Peng, Y.-D. Li. Chem. Eur. J., 11, 1889 (2005). DOI: 10.1002/chem.200400633
  13. G.D. Smith, S. Firth, R.J.H. Clark, M. Cardona. J. Appl. Phys., 92, 4375 (2002). DOI: 10.1063/1.1505670
  14. P. Yin, R. Zhang, Y. Zhang, L. Guo. International J. Modern Physics B., 24 (15), 3257 (2010). DOI: 10.1142/S0217979210066422
  15. А.В. Баранов, К.В. Богданов, Е.В. Ушакова, С.А. Черевков, А.В. Федоров, S. Tscharntke. Опт. и спектр., 109 (2), 301 (2010). [A.V. Baranov, K.V. Bogdanov, E.V. Ushakova, S.A. Cherevkov, A.V. Fedorov, S. Tscharntke. Opt. Spectrosс., 109 (2), 268 (2010). DOI: 10.1134/S0030400X10080199]
  16. Z. Peng, Y. Jiang, Y. Song, C. Wang, H. Zhang. Chem. Mater., 20 (9), 3153 (2008). DOI: 10.1021/cm703707v
  17. J.G. Shapter, M.H. Brooker, W.M. Skinner. International J. Mineral Processing, 60, 199 (2000). DOI: 10.1016/S0301-7516(00)00017-X
  18. G. Giudici, P. Ricci, P. Lattanzi, A. Anedda. American Mineralogist, 92, 518 (2007). DOI: 10.2138/am.2007.2181
  19. K. Stadelmann, A. Elizabeth, N.M. Sabanes, K.F. Domke. Vibrational Spectroscopy, 91, 157 (2016). DOI: 10.1016/j.vibspec.2016.08.008
  20. С.П. Зимин, Е.С. Горлачев, Н.В. Гладышева, В.В. Наумов, В.Ф. Гременок, Х.Г. Сейди. Опт. и спектр., 115 (1), 67 (2013). DOI: 10.7868/S0030403413110263 [S.P. Zimin, E.S. Gorlachev, N.V. Gladysheva, V.V. Naumov, V.F. Gremenok, H.G. Seidi. Opt. Spectrosс., 115 (1), 679 (2013). DOI: 10.1134/S0030400X1311026X]
  21. Y. Batonneau, C. Bremard, J. Laureyns, J.C. Merlin. J. Raman Spectroscopy, 31 (12), 1113 (2000). DOI: 10.1002/1097-4555(200012)31:12<1113::aid-jrs653>3.0.co;2-e
  22. М.О. Кузиванов, С.П. Зимин, А.В. Федоров, А.В. Баранов. Опт. и спектр., 119 (6), 925 (2015). DOI: 10.7868/S0030403415120156 [M.O. Kuzivanov, S.P. Zimin, A.V. Fedorov, A.V. Baranov. Opt. Spectrosс., 119 (6), 938 (2015). DOI: 10.1134/S0030400X15120140]
  23. C.П. Зимин, Е.С. Горлачев, А.В. Баранов, С.А. Черевков, E. Abramof, P.H.O. Rappl. Опт. и спектр., 117 (5), 770 (2014). DOI: 10.7868/S0030403414110245 [S.P. Zimin, E.S. Gorlachev, A.V. Baranov, S.A. Cherevkov, E. Abramof, P.H.O. Rappl. Opt. Spectrosс., 117 (5), 748 (2014). DOI: 10.1134/S0030400X14110241]
  24. M. Labidi, H. Meradji, S. Ghemid., S. Labidi, F. El Haj Hassan. Modern Physics Letters, 25 (7), 473 (2011). DOI: 10.1142/S0217984911025729
  25. K.S. Upadhyaya, M. Yadav, G.K. Upadhyaya. Phys. Stat. Sol. B, 229, 1129 (2002). DOI: 10.1002/1521-3951(200202)229:3<1129::AID-PSSB1129>3.0.CO;2-6
  26. T.D. Krauss, F.W. Wise. Phys. Rev. B, 55, 9860 (1977). DOI: 10.1103/PhysRevB.55.9860
  27. P.G. Etchegoin, M. Cardona, R. Lauck, R.J.H. Clark, J. Serrano, A.H. Romero. Phys. Stat. Sol. B, 245 (6), 1125 (2008). DOI: 10.1002/pssb.200743364
  28. O. Kilian, G. Allan, L. Wirtz. Phys. Rev. B, 80, 245208 (2009). DOI: 10.1103/PhysRevB.80.245208
  29. O. Semeniuk, A. Csik, S. Kokenyesi, A. Reznik. J. Mater. Sci., 52 (13), 7937 (2017). DOI: 10.1007/s10853-017-0998-5
  30. G. Shao, G. Chen, J. Zuo, M. Gong, Q. Yang. Langmuir, 30, 7811 (2014). DOI: 10.1021/la501267f.1
  31. G.R. Wilkinson. Raman spectra of ionic, covalent, and metallic crystals. In: The Raman effect, V. 2: Applications, ed. A. Anderson. Chapter 5. (Marcel Dekker, New York, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.