Исследование плазмонного резонанса в Bi2Se3 и Sb2Te3 методом инфракрасной спектральной эллипсометрии
Ализаде Э.Г.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: AlizadeElv@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 30 сентября 2021 г.
Принята к печати: 6 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 9 декабря 2021 г.
В инфракрасной (ИК) области спектра методом ИК спектральной эллипсометрии (СЭ) исследованы оптические свойства монокристаллических образцов узкозонных вырожденных полупроводников Bi2Se3 и Sb2Te3. Изучены транспортные свойства из друде-подгонки диэлектрических функций, полученных с помощью спектроскопической эллипсометрии. Детально исследовано поведение объемного и поверхностного плазмон-поляритонов. Рассчитаны дисперсия и длина свободного пробега плазмона, глубина скин-слоя для проводящей (исследуемые материалы) и диэлектрической поверхности (воздух). Оценен вклад плазмона в оптические свойства из спектральной плотности для образцов Bi2Se3 и Sb2Te3. Ключевые слова: эллипсометрия, плазмон, плазмоника, дисперсия плазмона, длина свободного пробега плазмона, глубина проникновения плазмона.
- J.M. Pitarke, V.M. Silkin, E.V. Chulkov, P.M. Echenique. Rep. Prog. Phys., 70 (1), 1--87 (2006). DOI.org/10.1088/0034-4885/70/1/R01
- J. Gong, R. Dai, Z. Wang, Z. Zengming. Sci. Rep., 5, 9279 (2015). DOI.org/10.1038/srep09279
- A. Melikyan, N. Lindenmann, S. Walheim, P. M. Leufke, S. Ulrich, J. Ye, P. Vincze, H. Hahn, Th. Schimmel, C. Koos, W. Freude, J. Leuthold. Opt. Express, 19 (9), 8855 (2011). DOI.org/10.1364/OE.19.008855
- А.Н. Cпицын, Д.В. Уткин, О.С. Кузнецов, П.С. Ерохин, Н.А. Осина, В.И. Кочубей. Опт. и спектр., 129 (1), 100 (2021). DOI: 10.21883/OS.2021.01.50446.200-20
- А.В. Дышлюк, Е.В. Мицай, А.Б. Черепахин, О.Б. Витрик, Ю.Н. Кульчин. Письма в ЖТФ., 43 (15), 87 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.15.44875.16646
- А.В. Дышлюк, О.Б. Витрик, Guohui Lu, Ю.Н. Кульчин. Письма в ЖТФ., 41 (12), 56 (2015)
- N.T. Mamedov, E.H. Alizade, Z.A. Jahangirli, Z.S. Aliev, N.A. Abdullayev, S.N. Mammadov, I.R. Amiraslanov, Yong-Gu Shim, Kazuki Wakita, S.S. Ragimov, A.I. Bayramov, Mahammad B. Babanly, A.M. Shikin, E.V. Chulkov. J. Vac. Sci. Technol. В, 37 (6), 062602 (2019). DOI: 10.1116/1.5122776
- S.A. Maier. Plasmonics: Fundamentals and Applications, 1st ed. (Springer, New York, 2007). https://DOI.org/10.1007/0-387-37825-1
- Z.S. Aliev, E.C. Ahmadov, D.M. Babanly, I.R. Amiraslanov, M.B. Babanly. Calphad, 66, 101650 (2019). DOI: 10.1016/j.calphad.2019.101650
- P. Di Pietro, F.M. Vitucci, D. Nicoletti, L. Baldassarre, P. Calvani, R. Cava, Y.S. Hor, U. Schade, S. Lupi. Phys. Rev. B, 86, 045439 (2012), DOI: 10.1103/PhysRevB.86.045439
- Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (Наука, Москва, 1972)
- T.E. Tiwald, D.W. Thompson, J.A.Woollam, W. Paulson, R. Hance. Thin Solid Films, 313--314, 661--666 (1998). DOI.org/10.1016/S0040-6090(97)00973-5
- J. Heremans, R. Cava, N. Samarth. Nat. Rev. Mater., 2, 17049 (2017). DOI.org/10.1038/natrevmats.2017.49
- M. Miyao, T. Motooka, N. Natsuaki, T. Tokuyama. Solid State Commun., 37 (7), 605-608 (1981). DOI.org/10.1016/0038-1098(81)90144-7
- G.L. Tan, L.K. DeNoyer, R.H. French, M.J. Guittet, M. Gautier-Soyer. J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom., 142 (2), 97--103 (2005). DOI.org/10.1016/j.elspec.2004.09.002
- William L. Barnes. J. Opt. A: Pure Appl. Opt., 8 (4), S87--S93 (2006). DOI.org/10.1088/1464-4258/8/4/S06
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.