Вышедшие номера
Оптические и фотолюминесцентные свойства тонкой пленки оксида цинка на подложке из тантала лития
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Госзадание, 075-01024-21-02
Григорьев Л.В. 1,2, Семенов А.А. 2, Михайлов А.В.3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
Email: l.grigoryev@spbu.ru, semalexander@gmail.com, lvgrigoryev@mail.ru
Поступила в редакцию: 25 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 25 июля 2021 г.
Принята к печати: 1 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 9 декабря 2021 г.

Представлены результаты исследования структурных, оптических и фотолюминесцентных свойств тонкой пленки оксида цинка на подложке из LiTaO3. Приведены результаты рентгеноструктурного анализа пленки оксида цинка, синтезированной на подложке из монокристаллического танталата лития и на подложке из кварца КУ-1. Приведены спектры пропускания, спектры отражения, спектры поглощения, спектральная зависимость фотолюминесценции тонкой пленки ZnО на сегнетоэлектрической подложке LiTaO3 и структуры ZnO-кварц в ультрафиолетовом и видимом диапазонах спектра. Приведены результаты восстановления методом регуляризации Тихонова-Лаврентьева энергетического спектра оптически активных дефектов, присутствующих в структуре ZnО-LiTaO3. Ключевые слова: тонкие пленки, оксид цинка, лазерная абляция, сегнетоэлектрические материалы, фотолюминесценция, рентгеноструктурный анализ, атомно-силовая микроскопия, регуляризация Тихонова-Лаврентьева.
  1. W.Z. Xu, Z.Z. Ye, Y.J. Zeng, L.L. Chen, F. Zhuge, G.D. Yuan, H.P. He, L.P. Zhu, J.Y. Huang, B.H. Zhao. Appl. Phys. Lett., 91, 173506 (2007). DOI: 10.1063/1.2783262
  2. C.L. Wei, Y.E. Chen, C.C. Cheng, K.S. Kao, D.L. Cheng, P.S. Cheng. Thin Solid Films, 518 (11), 3059 (2010). DOI: 10.1016/j.tsf.2009.07.207
  3. Y.K. Chembo, D. Brunner, M. Jacquot, L. Larger. Rev. Modern Physics, 91 (3), 035006 (2019). DOI: 10.1103/RewModPhys.91.035006
  4. В.А. Кривченко, Д.В. Лопаев, В.В. Пащенко, В.Г. Пирогов, А.Т. Рахимов, Н.В. Суетин, А.С. Трифонов. ЖТФ, 78 (8), 107 (2008)
  5. Т.В. Бланк, А.А. Гольденберг. ФТП, 37 (9), 1035 (2003)
  6. W. Zheng, Li. Chen, W. Di, L. Aidong, N. Ming. Nature Materials. 12, 617 (2013)
  7. Л.В. Григорьев, Я.Б. Егорова, А.А. Быков, А.А. Семенов, А.А. Никитин. Опт. и cпектр., 127 (12), 986 (2019). DOI: 10.21883/OS.2022.02.51990.2581-21
  8. Л.В. Григорьев, И.А. Морозов, Н.С. Журавлев, А.А. Семенов, А.А. Никитин. ФТП, 54 (3), 232 (2020). DOI: 10.21883/OS.2022.02.51990.2581-21
  9. L.V. Grigoryev, A.F. Kraycko, A.V. Mikhailov, V.G. Nefedov, O.V. Shakin. Springer Proceeding of Physics, Advanced Materials, Proceedings of the International Conference on: "Physics and Mechanics of New Materials and their Applications", PHENMA-17 (Springer, Jabalpur, 2017), V. 207, ch. 19, p. 239. DOI: 10.1007/978-3-319-78919-4
  10. О.Г. Вендик, В.Ф. Горин. Корпускулярно-фотонная технология (Высшая Школа, М., 1984)
  11. S. Hermann, T. Dezhindar, H. Harder, R. Brendel, M. Seibt, S. Stroj. J. Appl. Phys., 108, 114514 (2010). DOI: 10.1063/1.3493204
  12. W. Prellier, A. Fouchet, B. Mercey, Ch. Simon, D. Raveau. Appl. Phys. Lett., 82, 3490 (2003). DOI: 10.1063/1.1578183
  13. А.А. Русаков. Рентгенография металлов (Атомиздат, М., 1977)
  14. P. Narin, E. Kutlu, G.`Atmaca, A. Atilgan, A. Yildiz, S. Lisesivdin. Optics, 168, 86 (2018). DOI: 10.1016/j.ijleo.2018.04.089
  15. U. Helmensonn, M. Latemann, J. Bohlmark, A. Ehiasarian. J. Gudmundsson. Thin Solid Films, 513(1), 1 (2006). DOI: 10.1016/j.tsf.2006.03.033
  16. B.D. Yao, V.F. Chang, N. Wang. Appl. Phys. Lett., 81, 757 (2002). DOI: 10.1063/1.1495878
  17. D.M. Bagnal, Z. Chen, N. Yao. Appl. Phys. Lett., 73, 1038 (1998). DOI: 10.1063/1.122077

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.