Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности фотолюминесценции и наносекундная релаксация фототока в кристаллах CuIn₅S₈ при высоком уровне оптического возбуждения

DOI: 10.21883/OS.2020.12.50320.203-20

Переводная версия: 10.1134/S0030400X20120905

Science Development Foundation under the President of the Republic of Azerbaijan, Science-Education Integration, EIF / MQM / - Science-Education-1-2016-1 (26)

Гусейнов А.Г.¹, Салманов В.М.¹, Мамедов Р.М.¹, Магомедов А.З.¹, Байрамова А.И.²

¹Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан Baku State University, Baku, Azerbaijan

²Азербайджанский университет архитектуры и строительства, Баку, Азербайджан Azerbaijan Architecture and Construction University, Baku, Azerbaijan

Azerbaijan Architecture and Construction University, Baku, Azerbaijan

Email: aguseinov@bsu.edu.az, vagif_salmanov@yahoo.com, rovshan63@rambler.ru

Выставление онлайн: 21 сентября 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В кристаллах CuIn₅S₈, выращенных методом медленного охлаждения расплава при постоянном градиенте температуры, обнаружена интенсивная люминесценция и наносекундная релаксация фототока при высоком уровне оптического возбуждения. В спектрах фотолюминесценции выделены три полосы излучений с энергиями 1.52, 1.48 и 1.465 eV. Фотоактивация кристалла в области 300-600 K объясняется увеличением подвижности дырок в валентной зоне при увеличении температуры. Ключевые слова: CuIn₅S₈, фототок, фотолюминесценция, фотопроводимость.

Khemiri N., Khalfallah B., Abdelkader D., Kanzari M. // Int. J. Thin Fil. Sci. Tec. 2014. V. 3. N 1. P. 7--12
Usujima A., Takeuchi S., Endo S., Irie T. // Japanese J. Appl. Phys. 1981. V. 20. N 7. P.L505--L507
Kudo A., Miseki Y. // Chem. Soc. Rev. 2009. V. 38. P. 253--278
Qasrawi A.F., Gasanly N.M. // Crystal Res. Technol. 2001. V. 36. P. 1399
Bodnar I.V., Shatalova V.V. // Semiconductors. 2012. V. 46. N 9. P. 1122--1125
Ito S., Ryo T. // Adv. Mater. Sci. Eng. 2012. Article ID 136092, 6 pages
Kitamura S., Endo S., Irie T. // J. Phys. Chem Solids. 1985. V. 46. N 8. P. 881-885
Боднарь И.В., Викторов И.А., Жафар М.А., Павлюковец С.А. // ФТП. 2016. T. 50. N 2. C. 154--157
Gasanly N.M. // PRAMANA-Indian Academy of Sciences. J. Phys. 2015, 8 p
Kumagai H., Minegishi T., Moriya Y., Kubota J., Domen K. // The J. Phys. Chem. C. 2014. V. 118. N 30. P. 16386--16392
Stephan C., Schorr S., Schock H. // MRS Proceedings. 2009. V. 1165. P. 1165-M09-08
Haeuseler H., Elitok E., Memo A., Arzani R. // Zeitschrift fur Anorganische und Allgemeine Chemie. 2001. V. 627. N 6. P. 1204--1208
Estevez J., Duran L., Hernandez E., Castro J., Melendez L., Fermin J.R., Durante Rincon C.A. // Rev. Tec. Ing. Univ. Zulia. 2009. V. 32. N 1. P. 92--108
Isik M., Gasanly N. // J. Phys. and Chemistry of Solids. 2016. V. 91. P. 13--17
Guseinov A.G., Salmanov V.M., Mamedov R.M., Salmanova A.A., Ahmadova F.Sh., Dashdamirova N.D. // J. Low Dimensional Systems. 2019. V. 3 (1). P. 9--14
Ридли Б. Квантовые процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1986. C. 205

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель