Вышедшие номера
Новые линии в спектрах ИК люминесценции высокого разрешения монокристаллов SiC политипов 4H и 6H
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20090040
Российский научный фонд, Президентская программа поддержки молодых исследователей, 19-72-10132
Болдырев К.Н. 1,2, Гуценко Д.Д.1,2, Климин С.А. 1, Новикова Н.Н. 1, Маврин Б.Н. 1, Маякова М.Н. 3, Хныков В.М.4
1Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
4ООО "Гранник", Москва, Россия
Email: kn.boldyrev@gmail.com, gutsenko.dd@phystech.edu, klimin@isan.troitsk.ru, novik@isan.troitsk.ru, mavrin@isan.troitsk.ru, mayakova@lst.gpi.ru, allmet2006@yandex.ru
Выставление онлайн: 24 июня 2020 г.

Проведено исследование низкотемпературных спектров ИК люминесценции и поглощения высокого разрешения нелегированных высококачественных монокристаллов SiC гексагональных модификаций 4H и 6H. Обнаружены узкие линии, имеющие ширины менее 0.2 cm-1, часть из которых наблюдалась впервые. Найдено, что часть линий в модификации 4H и 6H имеют схожую структуру, однако линии в SiC-4H смещены в высокоэнергетичную часть спектра на ~ 180 cm-1. Для наиболее интенсивного квартета в области 1.3 μm по спектрам люминесценции и поглощения удалось построить энергетическую структуру уровней как для модификации 4H, так и для 6H. Ключевые слова: карбид кремния, SiC, люминесценция, высокое разрешение, центры окраски.
  1. Fisher G.R., Barnes P. // Phil. Mag. B. 1990. V. 61. P. 217-236. doi 10.1080/13642819008205522
  2. Gruber A., Drabenstedt A., Tietz C., Fleury L., Wrachtrup J., von Borczyskowski C. // Science. 1997. V. 276. P. 2012--2014. doi 10.1126/science.276.5321.2012
  3. Beveratos A., Kuhn S., Brouri R., Gacoin T., Poizat J.-P., Grangier P. // Eur. Phys. J. D. 2002. V. 18. P. 191--196. doi 10.1140/epjd/e20020023
  4. Taylor J., Cappellaro P., Childress L., Jiang L., Budker D., Hemmer P.R., Yacoby A., Walsworth R., Lukin M.D. // Nat. Phys. 2008. V. 4. P. 810--816. doi 10.1038/nphys1075
  5. Neumann P., Jakobi I., Dolde F., Burk C., Reuter R., Waldherr G., Honert J., Wolf T., Brunner A., Shim J.H., Suter D., Sumiya H., Isoya J., Wrachtrup J. // Nano Lett. 2013. V. 13. P. 2738--2742. doi 10.1021/nl401216y
  6. Anisimov A.N., Soltamov V.A., Breev I.D., Khalisov M.M., Babunts R.A., Ankudinov A.V., Baranov P.G. // Jetp Lett. 2018. V. 108. P. 610--615. doi 10.1134/S0021364018210063
  7. Veinger A.I., Il'in V.A., Tairov Yu.M., Tsvetkov V.F. // Soviet Physics: Semicond. 1979. V. 13. P. 1385
  8. Vainer V.S., Il'in V.A. // Soviet Physics: Solid State. 1981. V. 23. P. 2126
  9. Kraus H., Soltamov V., Riedel D., Vath S., Fuchs F., Sperlich A., Baranov P.G., Dyakonov V., Astakhov G.V. // Nat. Phys. 2014. V. 10. P. 157--162. doi 10.1038/nphys2826
  10. Koehl W.F., Buckley B.B., Heremans F.J., Calusine G., Awschalom D.D. // Nature. 2011. V. 479. P. 84--87. doi: 10.1038/nature10562
  11. Soltamov V.A., Soltamova A.A., Baranov P.G., Proskuryakov I.I. // Phys. Rev. Lett. 2012. V. 108. P. 226402. doi 10.1103/PhysRevLett.108.226402
  12. Soltamov V.A., Kasper C., Poshakinskiy A.V., Anisimov A.N., Mokhov E.N., Sperlich A., Tarasenko S.A., Baranov P.G., Astakhov G.V., Dyakonov V. // Nat. Commun. 2019. V. 10. P. 1678. doi 10.1038/s41467-019-09429-x
  13. Kraus H., Soltamov V., Fuchs F., Simin D., Sperlich A., Baranov P.G., Astakhov G.V., Dyakonov V. // Sci. Rep. 2015. V. 4. P. 5303. doi 10.1038/srep05303
  14. Simin D., Soltamov V.A., Poshakinskiy A.V., Anisimov A.N., Babunts R.A., Tolmachev D.O., Mokhov E.N., Trupke M., Tarasenko S.A., Sperlich A., Baranov P.G., Dyakonov V., Astakhov G.V. // Phys. Rev. X. 2016. V. 6. P. 031014. doi 10.1103/PhysRevX.6.031014
  15. Soltamov V.A., Tolmachev D.O., Il'in I.V., Astakhov G.V., Dyakonov V.V., Soltamova A.A., Baranov P.G. // Physics of the Solid State. 2015. V. 57. P. 891-899. doi 10.1134/S1063783415050285
  16. Anisimov A.N., Simin D., Soltamov V.A., Lebedev S.P., Baranov P.G., Astakhov G.V., Dyakonov V. // Sci. Rep. 2016. V. 6. P. 33301. doi 10.1038/srep33301
  17. Castelletto S., Johnson B.C., Ivady V., Stavrias N., Umeda T., Gali A., Ohshima T. // Nat. Mater. 2014. V. 13. P. 151--6. doi 10.1038/nmat3806
  18. Baranov P.G., Bundakova A.P., Soltamova A.A., Orlinskii S.B., Borovykh I.V., Zondervan R., Verberk R., Schmidt J. // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. P. 125203. doi 10.1103/PhysRevB.83.125203
  19. Lohrmann A., Johnson B.C., McCallum J.C., Castelletto S. // Rep. Prog. Phys. 2017. V. 80. P. 034502. doi 10.1088/1361-6633/aa5171
  20. Christle D.J., Falk A.L., Andrich P., Klimov P.V., Hassan J.U., Son N.T., Janzen E., Ohshima T., Awschalom D.D. // Nat. Mater. 2015. V. 14. P. 160--163. doi 10.1038/nmat4144
  21. Feldman D.W., Parker J.H., Choike W.J., Patrick L. // Phys. Rev. 1968. V. 173. P. 787. doi 10.1103/PhysRev.173.787
  22. Nakashima S., Harima H. // Phys. Stat. Sol. A. 1997. V. 162. P. 39. doi 10.1002/1521-396X(199707)162:1<39::AID-PSSA39>3.0.CO;2-L
  23. Chikvaidze G., Mironova-Ulmane N., Plaude A., Sergeev O. // Latv. J. Phys. Tech. Sci. 2004. V. 51. P. 51--57. doi 10.2478/lpts-2014-0019
  24. Sorman E., Son N.T., Chen W.M., Kordina O., Hallin C., Janzen E. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. P. 2613. doi 10.1103/PhysRevB.61.2613
  25. Zargaleh S.A., Eble B., Hameau S., Cantin J.-L., Legrand L., Bernard M., Margaillan F., Lauret J.-S., Roch J.-F., von Bardeleben H.J., Rauls E., Gerstmann U., Treussart F. // Phys. Rev. B. 2016. V. 94. P. 060102(R). doi 10.1103/PhysRevB.94.060102

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.