Вышедшие номера
Новые линии в спектрах ИК люминесценции высокого разрешения монокристаллов SiC политипов 4H и 6H
Переводная версия: 10.1134/S0030400X20090040
Российский научный фонд, Президентская программа поддержки молодых исследователей, 19-72-10132
Болдырев К.Н. 1,2, Гуценко Д.Д.1,2, Климин С.А. 1, Новикова Н.Н. 1, Маврин Б.Н. 1, Маякова М.Н. 3, Хныков В.М.4
1Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
4ООО "Гранник", Москва, Россия
Email: kn.boldyrev@gmail.com, gutsenko.dd@phystech.edu, klimin@isan.troitsk.ru, novik@isan.troitsk.ru, mavrin@isan.troitsk.ru, mayakova@lst.gpi.ru, allmet2006@yandex.ru
Выставление онлайн: 24 июня 2020 г.

Проведено исследование низкотемпературных спектров ИК люминесценции и поглощения высокого разрешения нелегированных высококачественных монокристаллов SiC гексагональных модификаций 4H и 6H. Обнаружены узкие линии, имеющие ширины менее 0.2 cm-1, часть из которых наблюдалась впервые. Найдено, что часть линий в модификации 4H и 6H имеют схожую структуру, однако линии в SiC-4H смещены в высокоэнергетичную часть спектра на ~ 180 cm-1. Для наиболее интенсивного квартета в области 1.3 μm по спектрам люминесценции и поглощения удалось построить энергетическую структуру уровней как для модификации 4H, так и для 6H. Ключевые слова: карбид кремния, SiC, люминесценция, высокое разрешение, центры окраски.