Оптика и спектроскопия
Авторам
Оптические аномалии в кристаллах LiNbO3 : Mg
Переводная версия: 10.1134/S0030400X1909025X 
Сидоров Н.В.
1, Бобрева Л.А.
1, Теплякова Н.А.
1, Палатников М.Н.
1, Макарова О.В.
1
1Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева КНЦ РАН, Апатиты, Россия 
Email: sidorov@chemy.kolasc.net.ru, bobreva@chemy.kolasc.net.ru, tepl_na@chemy.kolasc.net.ru, palat_mn@chemy.kolasc.net.ru, makarova@chemy.kolasc.net.ru
Выставление онлайн: 20 августа 2019 г.
В кристаллах LiNbO3 : Mg (0.19-5.91 mol.% MgO) с увеличением концентрации Mg обнаружены перестройки в дефектной структуре и связанные с ними оптические аномалии, носящие пороговый характер. Показано, что при концентрации Mg, близкой к первому концентрационному порогу при ~3.0 mol.% MgO, увеличивается оптическая однородность кристаллов. При приближении концентрации Mg ко второму концентрационному порогу обнаружен существенный сдвиг (~ на 50 cm-1 по сравнению с другими кристаллами) всего спектра ИК поглощения в области валентных колебаний ОН-групп в высокочастотную область, резкое снижение количества протонов и скачкообразное смещение края поглощения в коротковолновую область. Показано, что сдвиг обусловлен тем, что вблизи концентрационного порога при 5.5 mol.% MgO все точечные дефекты NbLi вытеснены катионами Mg, и в дальнейшем катионы Mg занимают только позиции катионов Li и Nb идеальной стехиометрической структуры, формируя точечные дефекты MgLi и MgNb. Ключевые слова: монокристалл ниобата лития, дефекты, лазерная коноскопия, фотоиндуцированное рассеяние света, ИК спектроскопия, оптическая спектроскопия. -19
- Кузьминов Ю.С. Электрооптический и нелинейно-оптический кристалл ниобата лития. М.: Наука, 1987. 262 с
- Сидоров Н.В., Волк Т.Р., Маврин Б.Н., Калинников В.Т. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны. М.: Наука, 2003. 255 с
- Volk T., Wohlecke M. Lithium Niobate. Defects, Photorefraction and Ferroelectric Switching. Berlin: Springer, 2008. 250 р
- Палатников М.Н., Сидоров Н.В., Макарова О.В., Бирюкова И.В. Фундаментальные аспекты технологии сильно легированных кристаллов ниобата лития. Апатиты: Изд-во КНЦ РАН, 2017. 241 с
- Cabrera J.M., Olivares J., Carrascosa M., Rams J., Muller R., Dieguez E. // Adv. Phys. 1996. V. 45. N 5. P. 349. doi 10.1080/00018739600101517
- Сидоров Н.В., Теплякова Н.А., Палатников М.Н., Бобрева Л.А. // ЖПС. 2017. Т. 84. N 4. С. 521
- Сидоров Н.В., Палатников М.Н., Бобрева Л.А., Новикова Н.Н. // Неорг. матер. 2017. Т. 53. N 7. C. 727. doi 10.7868/S0002337X17070107; Sidorov N.V., Palatnikov M.N., Bobreva L.A., Novikova N.N. // Inorg. Mater. 2017. V. 53. N 7. P. 713. doi 10.1134/S0020168517070172
- Сидоров Н.В., Бобрева Л.А., Палатников М.Н. // Опт. и спектр. 2017. Т. 123. N 2. С. 246. doi 10.7868/S0030403417080244; Sidorov N.V., Bobreva L.A., Palatnikov M.N. // Opt. Spectr. 2017. V. 123. N 2. Р. 258. doi 10.1134/S0030400X17080215
- Palatnikov M.N., Birukova I.V., Masloboeva S.M., Makarova O.V., Manukovskaya D.V. Sidorov N.V. // J. Cryst. Growth. 2014. V. 386. P. 113. doi 10.1016/j.jcrysgro.2013.09.038
- Палатников М.Н., Сидоров Н.В., Бирюкова И.В., Щербина О.Б., Калинников В.Т. // Персп. матер. 2011. N 2. С. 93
- Сидоров Н.В., Палатников М.Н., Яничев А.А., Габаин А.А., Макарова О.В., Пикуль О.Ю. // Кристаллогр. 2014. Т. 59. N 5. С. 794. doi 10.7868/S0023476114050178; Sidorov N.V., Palatnikov M.N., Yanichev A.A., Gabain A.A., Makarova O.V., Pikul' O.Y. // Cryst. Rep. 2014. V. 59. N 5. P. 724. doi 10.1134/S1063774514050162
- Kong Y., Zhang W., Xu J., Yan W., Liu H., Xie X., Li X., Shi L., Zhang G. // Infrared Phys. Technology. 2004. V. 45. P. 281. doi 10.1016/j.infrared.2003.12.001
- Аникьев А.А., Сидоров Н.В., Серебряков Ю.А. // ЖПС. 1992. Т. 56. N 4. С. 670
- Sidorov N.V., Serebryakov Yu.A. // Vib. Spectrosc. 1994. V. 6. N 2. Р. 215. doi 10.1016/0924-2031(94)85008-9
- Сидоров Н.В., Яничев А.А., Палатников М.Н., Габаин А.А. // Опт. и спектр. 2014. Т. 116. N 2. С. 281. doi 10.7868/S0030403414010206; Sidorov N.V., Yanichev A.A., Palatnikov M.N., Gabain A.A. // Opt. Spectrosc. 2014. V. 116. N 2. P. 281. doi 10.1134/S0030400X14010202
- Китаева Г.Х., Кузнецов К.А., Наумова И.И., Пенин А.Н. // Квант. электрон. 2000. Т. 30. N 8. С. 732; Kitaeva G.Kh., Kuznetzov K.A., Naumova I.I., Penin A.N. // Quant. Electronics. 2000. V. 30. N 8. P. 726. doi 10.1070/QE2000v030n08ABEH001799
- Сидоров Н.В., Палатников М.Н. // Опт. и спектр. 2016. Т. 121. N 6. С. 907. doi 10.7868/S0030403416120229; Sidorov N.V., Palatnikov M.N. // Opt. Spectrosc. 2016. V. 121. N 6. P. 842. doi 10.1134/S0030400X16120225
- Li Ya., Li L., Cheng X., Zhao X. // J. Phys. Chem. C. 2017. V. 121. P. 8968. doi 10.1021/acs.jpcc.7b01274
- Donnerberg H., Tomlinson S.M., Catlow C.R.A., Schirmer O.F. // Phys. Rev. B. 1989. V. 44. P. 11909. doi 10.1103/PhysRevB.40.11909
- Сидоров Н.В., Палатников М.Н., Теплякова Н.А., Сюй А.В., Киле Е.О., Штарев Д.С. // Неорг. матер. 2018. Т. 54. N 6. С. 611. doi 10.7868/S0002337X18060106; Sidorov N.V., Palatnikov M.N., Teplyakova N.A., Syuy A.V., Kile E.O., Shtarev D.S. // Inorg. Mater. 2018. V. 54. N 6. P. 581. doi 10.1134/S0020168518060134
- Grabmaier B.C., Wersing W., Koestler W. // J. Cryst. Growth. 1991. V. 110. P. 339. doi 10.1016/0022-0248(91)90269-B
- Iyi N., Kitamura Y., Kimura S., Furukawa Y., Sato M. // J. Solid State Chem. 1995. V. 118. P. 148. doi 10.1006/jssc.1995.1323
- Саллум М.И., Грунский О.С., Маньшина А.А., Тверьянович А.С., Тверьянович Ю.С. Изв. РАН. Сер. хим. 2009. Т. 73. N 11. С. 2162
- Malovichko G., Grachev V., Schirmer O. // Appl. Phys. B. 1999. V. 68. N 5. P. 785. doi 10.1007/s003400050705
- Klauer S., Wohlecke M., Kapphan S. // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. P. 2786. doi 10.1103/PhysRevB.45.2786
- Lеngyel K., Peter A., Kovacs L., Corradi G., Palfavi L., Hebling J., Unferdorben M., Dravecz G., Hajdara I., Szaller Zs., Polgar K. // Appl. Phys. Rev. 2015. V. 2. Р. 040601. doi 10.1063/1.4929917
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
