Вышедшие номера
Динамика решетки и электронные свойства нелинейного кристалла BaGa2GeS6: комбинационное рассеяние, ИК отражение и расчет ab initio
Переводная версия: 10.1134/S0030400X19070130
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), No 18-32-00588
Климин С.А.1, Маврин Б.Н.1, Будкин И.В.1, Бадиков В.В.2, Бадиков Д.В.2
1Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2Кубанский государственный университет, Лаборатория высоких технологий, Краснодар, Россия
Email: mavrin@isan.troitsk.ru
Выставление онлайн: 19 июня 2019 г.

Получены поляризованные спектры комбинационного рассеяния света и ИК отражения кристалла BaGa2GeS6 с разупорядочением атомов Ga и Ge, занимающих одну и ту же кристаллографическую позицию. Спектры ИК отражения обрабатывались методом дисперсионного анализа. Вычислены дисперсия фононов, плотность фононных состояний, электронная зонная структура и парциальные плотности электронных состояний в приближении DFT, используя метод алхимического потенциала для разупорядоченных атомов Ga и Ge. Найдено, что в колебательных спектрах валентные колебания отделены от деформационных мод щелью около 100 cm-1, а в зонной структуре кристалла имеется непрямая энергетическая щель. Ключевые слова: нелинейные кристаллы, динамика решетки, комбинационное рассеяние, ИК отражение. -19