Оптика и спектроскопия

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эллипсометрическое исследование оптических свойств соединений Ru₂Ge₃ и Ru₂Sn₃

DOI: 10.21883/OS.2018.09.46550.136-18

Переводная версия: 10.1134/S0030400X1809014X

Князев Ю.В.¹, Кузьмин Ю.И.¹

¹Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

Email: knyazev@imp.uran.ru

Выставление онлайн: 20 августа 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выполнены эллипсометрические исследования оптических свойств интерметаллических соединений Ru₂Ge₃ и Ru₂Sn₃ в интервале длин волн 0.22-15 mum. На основе сравнительного анализа экспериментальных и теоретических частотных зависимостей оптической проводимости анализируется природа межзонного поглощения света. Полученные данные подтверждают существование в электронных спектрах данных материалов энергетических щелей на уровне Ферми, предсказываемых ранее зонными расчетами. -18

Rowe D.M. (Ed. by) Thermoelectrics Handbook: Micro to Nano. NY.: CRC Press, 2006. 954 p
Semiconducting Silicides / Ed. by V.E. Borisenko. Berlin: Springer, 2000. 348 p
Migas D.B., Miglio L., Shaposhnikov V.L., Borisenko V.E. // Phys. Stat. Sol. B. 2002. V. 231. N 1. P. 171. doi 10.1002/1521-3951(200205)231:1<171::AID-PSSB171>3.0.CO;2-0
Susz C.P., Muller J., Yvon K., Parthe E. // J. Less-Common Met. 1980. V. 71. N 1. P. 1. doi 10.1016/0022-5088(80)90111-3
Gottlieb U., Laborde O., Rouault A., Madar R. // Appl. Surface Sci. 1993. V. 73. P. 243. doi 10.1016/0169-4332(93)90173-9
Lenssen D., Carius R., Mesters S., Guggi D., Bay H.L., Mantl S. // Microelectronic Engineering. 2000. V. 50. P. 243. doi 10.1016/S0167-9317(99)00288-9
Hayward M.A., Cava R.J. // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. V. 14. N 25. P. 6543. doi 10.1088/0953-8984/14/25/321
Kawasoko H., Takayama T., Takagi H. // Appl. Phys. Express. 2014. V. 7. N 11. P. 115801. doi 10.7567/APEX.7.115801
Filonov A.B., Migas D.B., Shaposhnikov V.L., Dorozhkin N.N., Borisenko V.E., Heinrich A., Lange H. // Phys. Rev. B. 1999. V. 60. N 24. P. 16494. doi 10.1103/PhysRevB.60.16494
Peheur P., Toussaint G. // Phys. Lett. A. 1991. V. 160. N 2. P. 193. doi 10.1016/0375- 9601(91)90612-C
Henrion W., Rebien M., Antonov V.N., Jepsen O., Lange H. // Thin Solid Films. 1998. V. 313. P. 218. doi 10.1016/S0040-6090(97)00821-3
Wolf W., Bihlmayer G., Blugel S. // Phys. Rev. B. 1997. V. 55. N 11. P. 6918. doi 10.1103/PhysRevB.55.6918
Henrion W., Rebien M., Birdwell A.G., Antonov V.N., Jepsen O. // Thin Solid Films. 2000. V. 364. N 1-2. P. 171. doi 10.1016/S0040-6090(99)00958-X
Shaposhnikov V.L., Ivanenko L.I., Migas D.B., Lenssen D., Carius R., Mantl S., Borisenko V.E. // Optical Materials. 2001. V. 17. N 1-2. P. 339. doi 10.1016/S0925-3467(01)00057-X
Imai Y., Watanabe A. // Intermetallics. 2005. V. 13. N 2. P. 233. doi 10.1016/j.intermet.2004.08.010
Shiomi Y., Saitoh E. // AIP Advances. 2017. V. 7. P. 035011. doi 10.1063/1.4978773
Beattie J.R., Conn G.K.T. // Phil. Mag. 1955. V. 46. P. 222. doi 10.1080/14786440208520565
Knyazev Yu.V., Lukoyanov A.V., Kuz'min Yu.I., Kuchin A.G., Nekrasov I.A. // Phys. Rev. B. 2006. V. 73. N 9. P. 094410. doi 10.1103/PhysRevB.73.094410

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель