Вышедшие номера
Оптическое усиление гетероструктур с множественными квантовыми ямами в диапазоне длин волн 1550 nm и предельные частоты модуляции вертикально-излучающих лазеров на их основе
Переводная версия: 10.1134/S0030400X18080143
Министерство образования и науки Российской Федерации, Федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014−2020 годы», № 14.578.21.0253
Колодезный Е.С.1, Рочас С.С.1, Курочкин А.С.1, Бабичев А.В.1, Новиков И.И.1, Гладышев А.Г.1, Карачинский Л.Я.2,3, Денисов Д.В.2,4, Бобрецова Ю.К.3, Климов А.А.3, Блохин С.А.3, Воропаев К.O.5,6, Ионов А.С.6
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
6АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
Email: innokenty.novikov@connector-optics.com
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Представлены результаты исследования серии полупроводниковых полосковых лазеров спектрального диапазона 1550 nm, изготовленных из гетероструктур с различными конструкциями усиливающей среды. Показано,что предложенные конструкции усиливающей среды позволяют получить лазерную генерацию при высоком уровне суммарных оптических потерь, сопоставимых с типичными потерями, характерными для вертикально-излучающих лазеров. Проведенная оценка модального усиления различных типов усиливающей среды позволила оценить возможные частоты малосигнальной модуляции вертикально-излучающих лазеров и предложить пути их увеличения до 20 GHz и более. -18
  1. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Design,Fabrication, Characterization, and Applications / Ed. by Wilmsen C.W., Temkin H., Coldren L.A. Cambridge. UK. Cambridge University Press. 2001. V. 24
  2. Spiga S., Schoke D., Andrejew A., Boehm G., Amann M.-C. // J. Lightwave Technol. 2017. V. 35. P. 3130
  3. Ellafi D., Iakovlev V., Sirbu A., Grigore S., Mickovic Z., Caliman A., Mereuta A., Kapon E. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2015. V. 21. P. 414
  4. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Yu. // Tech. Phys. Lett. 2018. V. 44. P. 24.
  5. Suemune I. // IEEE J. Quantum Electron. 1991. V. 27. P. 1149
  6. Uomi K. // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. P. 81
  7. Ralston J.D., Weisser S., Esquivias I., Larkins E.C., Rosenzweig J., Tasker P.J., Fleissner J. // IEEE J. Quantum Electron. 1993. V. 29. P. 1648
  8. Zhang R., Wang W., Zhou F., Wang B., Wang L., Bian J., Zhao L., Zhu H., Jian S. // Semicond. Sci. Technol. 2006. V. 21. P. 306
  9. Coldren L.A., Corzine S.W. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits. N.Y.: Wiley, 1995. 624 p
  10. Babichev A.V., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Gladyshev A.G., Blokhin S.A., Mikhailov S., Iakovlev V., Sirbu A., Stepniak G., Chorchos L., Turkiewicz J.P., Voropaev K.O., Ionov A.S., Agustin M., Ledentsov N.N., Egorov A.Y. // IEEE J. Quantum Electron. 2017. V. 53. P. 2400808
  11. VCSELs: Fundamentals, Technology and Applications of Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers / Ed. by Michalzik R. Berlin: Springer, 2013. 560 p
  12. Zegrya G.G., Polkovnikov A.S. // J. Exp. Theor. Phys. 1998. V. 86. P. 815.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.