Поляризационные измерения комбинационного рассеяния света в слоях кремния на сапфире
Выставление онлайн: 19 июня 2018 г.
Проведены измерения интенсивности поляризованных компонент комбинационного рассеяния света для различных кристаллографических направлений в эпитаксиальных слоях кремния на сапфире. Эксперимент показывает, что рассеянное излучение имеет значительную деполяризованную составляющую, которая напрямую связана с дефектностью эпитаксиального слоя. Для описания дефектного кристаллического слоя кремния на сапфире предложена модель ансамбля кристаллитов. Показано, что по отношению интенсивностей поляризованной и деполяризованной компонент можно определить характерную величину разупорядочения кристаллических доменов в эпитаксиальном слое. По измерениям интенсивности комбинационного рассеяния света в зависимости от кристаллографического направления определена анизотропия тензора комбинационного рассеяния света. Получены численные значения для двух образцов. -17
- Благов А.Е., Васильев А.Л., Голубева А.С., Иванов И.А., Кондратьев О.А., Писаревский Ю.В., Пресняков М.Ю., Просеков П.А., Серегин А.Ю. // Кристаллография. 2014. Т. 59. N 3. С. 356
- Стучебников В.М. // Радиотехника и электроника. 2005. Т. 50. N 6. С. 678
- Anastassakis E., Pinczuk A., Burstein E., Pollak F.H., Cardona M. // Sol. Stat. Commun. 1970. V. 8. P. 133
- Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Кривулин Н.О. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. N 12. С. 16
- De Wolf I. // Semicond. Sci. Technol. 1996. V. 11. P. 139
- Loudon R. // Adv. Phys. 1964. V. 13. P. 423
- Munisso M.C., Zhy W., Pezzotti G. // Phys. Stat. Sol. B. 2009. V. 246. N 8. P. 1893
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. М.: Наука, 1974. 752 с
- Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972. 584 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
