Вышедшие номера
Исследование пропускания легированного железом селенида цинка в терагерцовом диапазоне частот*
Переводная версия: 10.1134/S0030400X18050259
Министерство образования и науки Российской Федераци, 074-U01
Правительство Российской Федерации, 3.9041.2017/7.8
Жукова М.О. 1, Грачев Я.В. 1, Цыпкин А.Н. 1, Путилин С.Э. 1, Чегнов В.П.2, Чегнова О.И.2, Беспалов В.Г. 1
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
2НИИ Материаловедения, Москва, Россия
Email: mozhukova@corp.ifmo.ru, grachev_y@mail.ru, tsypkinan@mail.ru, seputilin@yandex.ru, ch_vp@inbox.ru, o.i.chegnova@gmail.com, victorbespaloff@gmail.com
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

Представлены результаты экспериментального исследования пропускания пластин кристалла селенида цинка, легированного железом на уровне 0.23 масс.%, в терагерцовом диапазоне частот и сравнение с пропусканием нелегированных образцов. Показано, что наличие примесей железа в образце селенида цинка делает среду более прозрачной в диапазоне частот от 0.35 до 0.5 THz. Пропускание легированного образца в этом диапазоне возрастает до 20% по сравнению с чистым ZnSe, что может быть использовано в дальнейшем для создания эффективных устройств управления терагерцовым излучением. -17
  1. Massaouti M., Daskalaki C., Gorodetsky A., Koulouklidis A.D., Tzortzakis S. // Appl. Spectroscopy. 2013. V. 67. N 11. P. 1264
  2. Balbekin N.S., Novoselov E.V., Pavlov P.V., Bespalov V.G., Petrov N.V. // SPIE Proc. 2014. V. 9448. P. 94482D
  3. Черкасова О.П., Назаров М.М., Ангелуц А.А., Шкуринов А.П. // Опт. и спектр. 2016. Т. 120. N 1. С. 59
  4. Ergun S., Sonmez S. // J. Military and Information Science. 2015. V. 3. N 1. P. 13
  5. Liu C., Wang C., Cao J.C. // J. Optical Technology. 2017. V. 84. N 1. P. 74
  6. Ma F. Lin Y.S., Zhang X., Lee C. // Light: Science \& Applications. 2014. V. 3. N 5. P. e171
  7. Золотовский И.О., Коробко Д.А., Минвалиев Р.Н., Остаточников В А. // Опт. и спектр. 2014. Т. 117. N 5. С. 847
  8. Hauri C.P., Ruchert C., Vicario C., Ardana F. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. N 16. P. 161116
  9. Osipova M.O., Makarov E.A., Bespalov V.G. // Laser Optics (LO), 2016 International Conference // IEEE. 2016. P. R8-45
  10. Zhukova M., Makarov E.M., Putilin S., Tsypkin A., Chegnov V., Chegnova O., Bespalov V. // J. Physics: Conference Series. 2017. V. 917. N 6. P. 062021
  11. Mishra P.K., Vendrell O., Santra R. //Angewandte Chemie International Edition. 2013. V. 52. N 51. P. 13685
  12. Shams H., Seeds A. // Optics and Photonics News. 2017. V. 28. N 3. P. 24
  13. Gaivoronsky V.Y., Nazarov M.M., Sapozhnikov D.A., Shepelyavyi Y.V., Shkel'nyuk S.A., Shkurinov A.P., Shuvaev A.V. // Quant. Electron. 2005. V. 35. N 5. P. 407
  14. Ascazubi R., Shneider C., Wilke I., Pino R., Dutta P.S. // Physical Review B. 2005. V. 72. N 4. P. 045328
  15. Марков Е.В., Давыдов А.А. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1975. T. 11. N 10. С. 1755
  16. Avetissov I., Mozhevitina E., Khomyakov A., Avetisov R., Davydov A., Chegnov V., Chegnova O., Zhavoronkov N. // CrystEngComm. 2015. V. 17. P. 561
  17. Bespalov V.G., Krylov V.N., Putilin S.E., Stasel'ko D.I. // Opt. Spectrosc. 2002. V. 93. N 1. P. 148
  18. Klat G., Hilser F., Qiao W., Beck M., Gebs R., Bartels A., Fischer M. // Opt. Express. 2010. V. 18. N 5. P. 4939
  19. Wu Q., Zhang X.C. // Appl. Phys. Lett. 1995. V. 67. P. 3523
  20. Red'kin R.A., Bereznaya S.A., Korotchenko Z.V., Sarkisov S.Y. // Proc. of Control and Commun (SIBCON). 2005. P. 1
  21. Wang Y., Ni H., Zhan W., Yuan J., Wang R. // Optical Materials. 2013. V. 35. N 3. P. 596
  22. Kong Y., Liu S., Xu J. // Materials. 2012. V. 5. N 10. P. 1954
  23. Shen X., Yan W., Shi L., Wang Y., Jia F., Qiao H., Lin A. // IEEE Photonics J. 2012. V. 4. N 5. P. 1892

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.