"Оптика и спектроскопия"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоиндуцированная деградация оптических свойств коллоидных квантовых точек Ag2S и CdS, пассивированных тиогликолевой кислотой*
Переводная версия: 10.1134/S0030400X18050211
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Немецкое научно-исследовательское сообщество 2017 г. (конкурс ННИО_а), №17-52-12034 ННИО_а
Смирнов М.С. 1, Овчинников О.В. 1, Гревцева И.Г. 1, Звягин А.И. 1, Перепелица А.С. 1, Ганеев Р.А. 1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Poccия
Email: Smirnov_M_S@mail.ru, Ovchinnikov_O_V@rambler.ru, grevtseva_ig@inbox.ru, andzv92@yandex.ru, rashid_ganeev@mail.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

Представлены результаты исследований деградации оптических свойств коллоидных квантовых точек (КТ) Ag2S и CdS размерами 2.6-3.2 nm, пассивированных тиогликолевой кислотой (TGA). Установлено уменьшение интенсивности фотолюминесценции коллоидных КТ Ag2S при облучении лазерным излучением на длине волны 445 nm, начиная со значений действующей мощности 10 mW. Наблюдаемый эффект интерпретирован как фотохимическая реакция формирования под действием возбуждения новых каналов безызлучательной рекомбинации в КТ Ag2S. Для коллоидных КТ CdS, пассивированных TGA, установлено, что уменьшение оптической плотности по всему контуру спектра поглощения, а также интенсивности люминесценции сопровождается образованием осадка из коллоидных частиц в кювете и связано с фотодеградацией пассивирующей оболочки. -17
  • Semonin O.E., Luther J.M., Beard M.C. // Materialstoday. 2012. V. 15(11). P. 508. doi 10.1016/S1369-7021(12)70220-1
  • Graham-Rowe D. // Nature Photonics. 2009. V. 3. P. 307. doi 10.1038/nphoton.2009.79
  • Hong G., Antaris A.L., Dai H. // Nature Biomedical Engineering. 2017. V. 1(0010). P. 1. doi 10.1038/s41551-016-0010
  • Shao L., Gao Y., Yan F. // Sensors. 2011. V. 11. P. 11736. doi 10.3390/s111211736
  • Bera D., Qian L., Tseng T.-K., Holloway P.H. // Materials. 2010. V. 3. P. 2260. doi 10.3390/ma3042260
  • Jacobsohn M., Banin U. // J. Phys. Chem. B. 2000. V. 104(1). P. 1. doi 10.1021/jp9925076
  • Roy A., Nath S.S. // Intern. J. Information Research and Review. 2017. V. 04(10). P. 4619
  • Thantu N. // J. Luminesc. 2005. V. 111. P. 17. doi 10.1016/j.jlumin.2004.06.002
  • Uematsu T., Maenosono S., Yamaguchi Y. // J. Phys. Chem. B. 2005. V. 109. P. 8613. doi 10.1021/jp050328k
  • Korsunska N.E, Dybiec M., Zhukov L., Ostapenko S., Zhukov T. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. 876. doi 10.1088/0268-1242/20/8/044
  • Jones M., Nedeljkovic J., Ellingson R.J., Nozik A.J., Rumbles G. // J. Phys. Chem. B. 2003. V. 107(41). P. 11346. doi 10.1021/jp035598m
  • Wang Y., Tang Z., Correa-Duarte M.A., Pastoriza-Santos I., Giersig M., Kotov N.A., Liz-Marzan L.M. // J. Phys. Chem. B. 2004. V. 108(40). P. 15461. doi 10.1021/jp048948t
  • Wu F., Lewis J.W., Kliger D.S., Zhang J.Z. // J. Chem. Phys. 2003. V. 118(1). P. 12. doi 10.1063/1.1533733
  • Vokhmintcev K.V., Guhrenz C., Gaponik N., Nabiev I., Samokhvalov P.S. // J. Physics: Conf. Series. 2017. V. 784. P. 012014. doi 10.1088/1742-6596/784/1/012014
  • Kloepfer J.A., Bradforth S.E., Nadeau J.L. // J. Phys. Chem. B. 2005. V. 109. P. 9996. doi 10.1021/jp044581g
  • Matsumoto H., Sakata T., Mori H., Yoneyama H. // J. Phys. Chem. 1996. V. 100. P. 13781. doi 10.1021/jp960834x
  • Dijken A. van, Janssen A.H., Smitsmans M.H.P., Vanmaekelbergh D., Meijerink A. // Chem. of Mat. 1998. V. 10. N 11. P. 3513. doi 10.1021/cm980715p
  • Matsumoto H., Sakata T., Mori H., Yoneyama H. // Chem. Lett. 1995. V. 24. N 7. P. 595. doi 10.1246/cl.1995.595
  • Torimoto T., Murakmi S.-y., Sakuraoka M., Iwasaki K., Okazaki K.-i., Shibayama T., Ohtani B. // J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. N 27. P. 13314. doi 10.1021/jp062645c
  • Galian R.E., de la Guardia M., Perez-Prieto J. // J. Am. Chem. Soc. 2009. V. 131. P. 892-893. doi 10.1021/ja807454u
  • Resch U., Weller H., Henglein A. // Langmuir. 1989. V. 5. N 4. P. 1015. doi 10.1021/la00088a023
  • Uematsu T., Kitajima H., Kohma T., Torimoto T., Tachibana Y., Kuwabata S. // Nanotechnol. 2009. V. 20. P. 215302-1-9. doi 10.1088/0957-4484/20/21/215302
  • Talapin D.V., Gaponik N., Borchert H., Rogach A.L., Haase M., Weller H. // J. Phys. Chem. B. 2002. V. 106. P. 12659. doi 10.1021/jp026380n
  • Akamatsu K., Takei Sh., Mizuhata M., Kajinami A., Deki Sh., Takeoka Sh., Fujii M., Hayashi Sh., Yamamoto K. // Thin Solid Films. 2000. V. 359(1). P. 55. doi 10.1016/S0040-6090(99)00684-7
  • Mullins J.T., Taguchi T., Brown P.D., Loginov Y.Y., Durose K. // Jap. J. Appl. Phys. 1991. V. 30(11A). P. L1853. doi 10.1143/JJAP.30.L1853
  • Овчинников О.В., Смирнов М.С., Шапиро Б.И., Шатских Т.С., Перепелица А.С., Королев Н.В. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. N 3. С. 385; Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Shapiro B.I., Shatskikh T.S., Perepelitsa A.S., Korolev N.V. // Semiconductors. 2015. Т. 49. N 3. С. 373. doi 10.1134/S1063782615030173
  • Овчинников О.В., Смирнов М.С., Перепелица А.С., Шатских Т.С., Шапиро Б.И. // Квант. электрон. 2015. Т. 45. N 12. С. 1143; Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Perepelitsa A.S., Shatskikh T.S., Shapiro B.I. // Quantum Electronics. 2015. Т. 45. N 12. С. 1143. doi 10.1070/QE2015v045n12ABEH015909
  • Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Korolev N.V., Golovinski P.A., Vitukhnovsky A.G. // J. Luminesc. 2016. V. 179. P. 413. doi 10.1016/j.jlumin.2016.07.016
  • Смирнов М.С., Овчинников О.В., Нассра Амир Разуки Хазаль, Звягин А.И. // Неорганические материалы. 2018. Т. 54. N 5. С. 483; Smirnov M.S., Ovchinnikov O.V., Nassra Amir Razuki Khazal, Zvyagin A.I. // Inorganic Materials. 2018. Т. 54. N 5. С. 483
  • Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С., Стаселько Д.И., Новиков П.В., Минаков Д.А. // Опт. и спектр. 2010. Т. 109. N 5. С. 779; Latyshev A.N., Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Stasel'ko D.I., Novikov P.V., Minakov D.A. // Opt. Spectrosc. 2010. V. 109. N 5. P. 719. doi 10.1134/S0030400X10110111
  • Иевлев В.М., Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С., Клюев В.Г., Холкина А.М., Утехин А.Н., Евлев А.Б. // Доклады Акад. наук. 2006. Т. 409. N 6. С. 756; Ievlev V.M., Latyshev A.N., Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Klyuev V.G., Kholkina A.M., Utekhin A.N., Evlev A.B. // Doklady Physics. 2006. V. 51. N 8. P. 400. doi 10.1134/S1028335806080027
  • Овчинников О.В., Смирнов М.С., Латышев А.Н., Стаселько Д.И. // Опт. и спектр. 2007. Т. 103. N 3. С. 497; Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Latyshev A.N., Stasel'ko D.I. // Opt. Spectrosc. 2007. V. 103. N 3. P. 482. doi 10.1134/S0030400X07090172
  • Овчинников О.В., Латышев А.Н., Смирнов М.С., Квашнина Н.В., Шатских Т.С. // Опт. и спектр. 2013. Т. 114. N 4. С. 603; Ovchinnikov O.V., Latyshev A.N., Smirnov M.S., Kvashnina N.V., Shatskikh T.S. // Opt. Spectrosc. V. 114. Iss. 4. P. 554. doi 10.1134/S0030400X13040152
  • Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С., Клюев В.Г., Герасименко Ю.В. // Журнал прикладной спектроскопии. 2005. Т. 72. N 2. С. 213; Latyshev A.N., Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Klyuev V.G., Gerasimenko Yu.V. // J. Appl. Spectrosc. 2005. V. 72. N 2. P. 224. doi 10.1007/s10812-005-0059-8
  • Латышев А.Н., Овчинников О.В., Клюев В.Г., Смирнов М.С., Стаселько Д.И. // Опт. и спектр. 2013. Т. 114. N 4. С. 592; Latyshev A.N., Ovchinnikov O.V., Klyuev V.G., Smirnov M.S., Stasel'ko D.I. // Opt. Spectrosc. 2013. V. 114. N 4. P. 544. doi 10.1134/S0030400X13040115
  • Латышев А.Н., Овчинников О.В., Минаков Д.А., Смирнов М.С., Новиков П.В. // Российские нанотехнологии. 2007. Т. 2. N 11-12. С. 75-77
  • Горбачев В.В. Полупроводниковые соединения AI2BVI. М.: Металлургия, 1980. 132 c
  • Magaryan K.A., Mikhailov M.A., Karimullin K.R., Knyazev M.V., Eremchev I.Y., Naumov A.V., Vasilieva I.A., Klimusheva G.V. // J. Luminesc. 2016. V. 169. P. 799. doi 10.1016/j.jlumin.2015.08.064
  • Eremchev I.Y., Osad'ko I.S., Naumov A.V. // J. Phys. Chem. C. 2016. V. 120. N 38. P. 22004. doi 10.1021/acs.jpcc.6b06578
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.