"Оптика и спектроскопия"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоиндуцированная деградация оптических свойств коллоидных квантовых точек Ag2S и CdS, пассивированных тиогликолевой кислотой*
Переводная версия: 10.1134/S0030400X18050211
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), Немецкое научно-исследовательское сообщество 2017 г. (конкурс ННИО_а), №17-52-12034 ННИО_а
Смирнов М.С. 1, Овчинников О.В. 1, Гревцева И.Г. 1, Звягин А.И. 1, Перепелица А.С. 1, Ганеев Р.А. 1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Poccия
Email: Smirnov_M_S@mail.ru, Ovchinnikov_O_V@rambler.ru, grevtseva_ig@inbox.ru, andzv92@yandex.ru, rashid_ganeev@mail.ru
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.

Представлены результаты исследований деградации оптических свойств коллоидных квантовых точек (КТ) Ag2S и CdS размерами 2.6-3.2 nm, пассивированных тиогликолевой кислотой (TGA). Установлено уменьшение интенсивности фотолюминесценции коллоидных КТ Ag2S при облучении лазерным излучением на длине волны 445 nm, начиная со значений действующей мощности 10 mW. Наблюдаемый эффект интерпретирован как фотохимическая реакция формирования под действием возбуждения новых каналов безызлучательной рекомбинации в КТ Ag2S. Для коллоидных КТ CdS, пассивированных TGA, установлено, что уменьшение оптической плотности по всему контуру спектра поглощения, а также интенсивности люминесценции сопровождается образованием осадка из коллоидных частиц в кювете и связано с фотодеградацией пассивирующей оболочки. -17
  1. Semonin O.E., Luther J.M., Beard M.C. // Materialstoday. 2012. V. 15(11). P. 508. doi 10.1016/S1369-7021(12)70220-1
  2. Graham-Rowe D. // Nature Photonics. 2009. V. 3. P. 307. doi 10.1038/nphoton.2009.79
  3. Hong G., Antaris A.L., Dai H. // Nature Biomedical Engineering. 2017. V. 1(0010). P. 1. doi 10.1038/s41551-016-0010
  4. Shao L., Gao Y., Yan F. // Sensors. 2011. V. 11. P. 11736. doi 10.3390/s111211736
  5. Bera D., Qian L., Tseng T.-K., Holloway P.H. // Materials. 2010. V. 3. P. 2260. doi 10.3390/ma3042260
  6. Jacobsohn M., Banin U. // J. Phys. Chem. B. 2000. V. 104(1). P. 1. doi 10.1021/jp9925076
  7. Roy A., Nath S.S. // Intern. J. Information Research and Review. 2017. V. 04(10). P. 4619
  8. Thantu N. // J. Luminesc. 2005. V. 111. P. 17. doi 10.1016/j.jlumin.2004.06.002
  9. Uematsu T., Maenosono S., Yamaguchi Y. // J. Phys. Chem. B. 2005. V. 109. P. 8613. doi 10.1021/jp050328k
  10. Korsunska N.E, Dybiec M., Zhukov L., Ostapenko S., Zhukov T. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. P. 876. doi 10.1088/0268-1242/20/8/044
  11. Jones M., Nedeljkovic J., Ellingson R.J., Nozik A.J., Rumbles G. // J. Phys. Chem. B. 2003. V. 107(41). P. 11346. doi 10.1021/jp035598m
  12. Wang Y., Tang Z., Correa-Duarte M.A., Pastoriza-Santos I., Giersig M., Kotov N.A., Liz-Marzan L.M. // J. Phys. Chem. B. 2004. V. 108(40). P. 15461. doi 10.1021/jp048948t
  13. Wu F., Lewis J.W., Kliger D.S., Zhang J.Z. // J. Chem. Phys. 2003. V. 118(1). P. 12. doi 10.1063/1.1533733
  14. Vokhmintcev K.V., Guhrenz C., Gaponik N., Nabiev I., Samokhvalov P.S. // J. Physics: Conf. Series. 2017. V. 784. P. 012014. doi 10.1088/1742-6596/784/1/012014
  15. Kloepfer J.A., Bradforth S.E., Nadeau J.L. // J. Phys. Chem. B. 2005. V. 109. P. 9996. doi 10.1021/jp044581g
  16. Matsumoto H., Sakata T., Mori H., Yoneyama H. // J. Phys. Chem. 1996. V. 100. P. 13781. doi 10.1021/jp960834x
  17. Dijken A. van, Janssen A.H., Smitsmans M.H.P., Vanmaekelbergh D., Meijerink A. // Chem. of Mat. 1998. V. 10. N 11. P. 3513. doi 10.1021/cm980715p
  18. Matsumoto H., Sakata T., Mori H., Yoneyama H. // Chem. Lett. 1995. V. 24. N 7. P. 595. doi 10.1246/cl.1995.595
  19. Torimoto T., Murakmi S.-y., Sakuraoka M., Iwasaki K., Okazaki K.-i., Shibayama T., Ohtani B. // J. Phys. Chem. B. 2006. V. 110. N 27. P. 13314. doi 10.1021/jp062645c
  20. Galian R.E., de la Guardia M., Perez-Prieto J. // J. Am. Chem. Soc. 2009. V. 131. P. 892-893. doi 10.1021/ja807454u
  21. Resch U., Weller H., Henglein A. // Langmuir. 1989. V. 5. N 4. P. 1015. doi 10.1021/la00088a023
  22. Uematsu T., Kitajima H., Kohma T., Torimoto T., Tachibana Y., Kuwabata S. // Nanotechnol. 2009. V. 20. P. 215302-1-9. doi 10.1088/0957-4484/20/21/215302
  23. Talapin D.V., Gaponik N., Borchert H., Rogach A.L., Haase M., Weller H. // J. Phys. Chem. B. 2002. V. 106. P. 12659. doi 10.1021/jp026380n
  24. Akamatsu K., Takei Sh., Mizuhata M., Kajinami A., Deki Sh., Takeoka Sh., Fujii M., Hayashi Sh., Yamamoto K. // Thin Solid Films. 2000. V. 359(1). P. 55. doi 10.1016/S0040-6090(99)00684-7
  25. Mullins J.T., Taguchi T., Brown P.D., Loginov Y.Y., Durose K. // Jap. J. Appl. Phys. 1991. V. 30(11A). P. L1853. doi 10.1143/JJAP.30.L1853
  26. Овчинников О.В., Смирнов М.С., Шапиро Б.И., Шатских Т.С., Перепелица А.С., Королев Н.В. // Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49. N 3. С. 385; Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Shapiro B.I., Shatskikh T.S., Perepelitsa A.S., Korolev N.V. // Semiconductors. 2015. Т. 49. N 3. С. 373. doi 10.1134/S1063782615030173
  27. Овчинников О.В., Смирнов М.С., Перепелица А.С., Шатских Т.С., Шапиро Б.И. // Квант. электрон. 2015. Т. 45. N 12. С. 1143; Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Perepelitsa A.S., Shatskikh T.S., Shapiro B.I. // Quantum Electronics. 2015. Т. 45. N 12. С. 1143. doi 10.1070/QE2015v045n12ABEH015909
  28. Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Korolev N.V., Golovinski P.A., Vitukhnovsky A.G. // J. Luminesc. 2016. V. 179. P. 413. doi 10.1016/j.jlumin.2016.07.016
  29. Смирнов М.С., Овчинников О.В., Нассра Амир Разуки Хазаль, Звягин А.И. // Неорганические материалы. 2018. Т. 54. N 5. С. 483; Smirnov M.S., Ovchinnikov O.V., Nassra Amir Razuki Khazal, Zvyagin A.I. // Inorganic Materials. 2018. Т. 54. N 5. С. 483
  30. Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С., Стаселько Д.И., Новиков П.В., Минаков Д.А. // Опт. и спектр. 2010. Т. 109. N 5. С. 779; Latyshev A.N., Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Stasel'ko D.I., Novikov P.V., Minakov D.A. // Opt. Spectrosc. 2010. V. 109. N 5. P. 719. doi 10.1134/S0030400X10110111
  31. Иевлев В.М., Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С., Клюев В.Г., Холкина А.М., Утехин А.Н., Евлев А.Б. // Доклады Акад. наук. 2006. Т. 409. N 6. С. 756; Ievlev V.M., Latyshev A.N., Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Klyuev V.G., Kholkina A.M., Utekhin A.N., Evlev A.B. // Doklady Physics. 2006. V. 51. N 8. P. 400. doi 10.1134/S1028335806080027
  32. Овчинников О.В., Смирнов М.С., Латышев А.Н., Стаселько Д.И. // Опт. и спектр. 2007. Т. 103. N 3. С. 497; Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Latyshev A.N., Stasel'ko D.I. // Opt. Spectrosc. 2007. V. 103. N 3. P. 482. doi 10.1134/S0030400X07090172
  33. Овчинников О.В., Латышев А.Н., Смирнов М.С., Квашнина Н.В., Шатских Т.С. // Опт. и спектр. 2013. Т. 114. N 4. С. 603; Ovchinnikov O.V., Latyshev A.N., Smirnov M.S., Kvashnina N.V., Shatskikh T.S. // Opt. Spectrosc. V. 114. Iss. 4. P. 554. doi 10.1134/S0030400X13040152
  34. Латышев А.Н., Овчинников О.В., Смирнов М.С., Клюев В.Г., Герасименко Ю.В. // Журнал прикладной спектроскопии. 2005. Т. 72. N 2. С. 213; Latyshev A.N., Ovchinnikov O.V., Smirnov M.S., Klyuev V.G., Gerasimenko Yu.V. // J. Appl. Spectrosc. 2005. V. 72. N 2. P. 224. doi 10.1007/s10812-005-0059-8
  35. Латышев А.Н., Овчинников О.В., Клюев В.Г., Смирнов М.С., Стаселько Д.И. // Опт. и спектр. 2013. Т. 114. N 4. С. 592; Latyshev A.N., Ovchinnikov O.V., Klyuev V.G., Smirnov M.S., Stasel'ko D.I. // Opt. Spectrosc. 2013. V. 114. N 4. P. 544. doi 10.1134/S0030400X13040115
  36. Латышев А.Н., Овчинников О.В., Минаков Д.А., Смирнов М.С., Новиков П.В. // Российские нанотехнологии. 2007. Т. 2. N 11-12. С. 75-77
  37. Горбачев В.В. Полупроводниковые соединения AI2BVI. М.: Металлургия, 1980. 132 c
  38. Magaryan K.A., Mikhailov M.A., Karimullin K.R., Knyazev M.V., Eremchev I.Y., Naumov A.V., Vasilieva I.A., Klimusheva G.V. // J. Luminesc. 2016. V. 169. P. 799. doi 10.1016/j.jlumin.2015.08.064
  39. Eremchev I.Y., Osad'ko I.S., Naumov A.V. // J. Phys. Chem. C. 2016. V. 120. N 38. P. 22004. doi 10.1021/acs.jpcc.6b06578

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.