ФТТ, 2010, том 52, выпуск 5: page 1034...

ФТТ, 2010, том 52, выпуск 5

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Структура и магнетизм кристаллов полупроводниковых
соединений (Ga_1-xMn_x)₂Se₃ ( $x=0-0.04$ )

С.Ф.Дубинин, В.И.Соколов, В.И.Максимов, В.Д.Пархоменко,
Н.Н.Колесников^*, А.В.Королев

Институт физики металлов УрО РАН,
Екатеринбург, Россия
^* Институт физики твердого тела РАН,
Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: dubinin@imp.uran.ru

(Поступила в Редакцию 28 мая 2009 г.
В окончательной редакции 5 октября 2009 г.)

Методом нейтронной дифракции и магнитных измерений исследовалось влияние легирования ионами Mn

³⁺ на тонкую структуру кристалла моноклинного соединения Ga

₂Se

₃. Установлено, что даже при относительно низких уровнях легирования (

x=0.04

) структурное состояние кристаллов изменяется. Приведены аргументы, что локальные ян-теллеровские искажения являются источниками формирования тонкой структуры и магнетизма в соединениях данного класса.

Работа выполнена по плану РАН (тема N 01.2.006 13394), при частичной поддержке РФФИ (гранты N 07-02-00020, 07-02-00910-a), Минобрнауки РФ (контракт N 02.518.11.7026) и в рамках программ фундаментальных исследований: Президиума РАН \glqq Влияние атомно-кристаллической и электронной структуры на свойства конденсированных сред\grqq (проект N 9 УрО РАН) и ОФН РАН \glqq Нейтронные исследования структуры вещества и фундаментальных свойств материи\grqq.

PDF версия (535Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2010, Коллектив авторов Разработано... webmaster