ФТТ, 2010, том 52, выпуск 5

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Анализ дефектности опалоподобных фотонных кристаллов, синтезированных на проводящих подложках

А.В.Васильева, С.В.Григорьев, Н.А.Григорьева\kern1pt*, А.А.Мистонов\kern1pt*, К.С.Напольский\kern1pt**, Н.А.Саполетова\kern1pt**,
А.В.Петухов\kern1pt***, Д.В.Белов\kern1pt***, А.А.Елисеев\kern1pt**, Д.Ю.Чернышов\kern1pt****, А.И.Окороков

Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова РАН,
Гатчина, Ленинградская обл., Россия
*Санкт-Петербургский государственный университет,
Санкт-Петербург, Россия
** Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова,
Москва, Россия
*** Debye Institute, Utrecht University,
Utrecht, Netherlands
**** European Synchrotron Radiation Facility,
Grenoble, France
E-mail: vasilieva@lns.pnpi.spb.ru

Методом малоугловой дифракции синхротронного излучения с микрорадианным разрешением исследованы тип и степень дефектности опалоподобных фотонных кристаллов на проводящих подложках. Показано, что самосборка полистирольных сфер методом вертикального осаждения на подложку слюда/Au приводит к образованию ГЦК-структуры, а на стеклянную подложку с проводящим покрытием In2O3(SnO2) --- к случайной плотнейшей гексагональной упаковке.

Работа выполнена при поддержке Федерального центра научно-технических программ (гранты N 02.513.11.3120, 02.513.11.3318 и 02.513.11.3186).

 PDF версия (873Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster