ФТТ, 2010, том 52, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Массоперенос индия в структуре In-CdTe при наносекундном лазерном облучении

В.П.Велещук, А.Байдуллаева, А.И.Власенко, В.А.Гнатюк, Б.К.Даулетмуратов,
С.Н.Левицкий, О.В.Ляшенко\kern1pt*, T.Aoki\kern1pt**

Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины,
Киев, Украина
* Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко,
Киев, Украина
** Research Institute of Electronics, Shizuoka University,
Hamamatsu, Japan
E-mail: vvvit@ukr.net

(Поступила в Редакцию 8 июля 2009 г.)

Исследованы и проанализированы особенности массопереноса индия в высокоомных кристаллах CdTe при наносекундном облучении структуры In-CdTe импульсами лазера. Определены коэффициенты массопереноса и оценена средняя скорость перемещения атомов In в CdTe при облучении. Предполагается, что концентрационная диффузия In в CdTe и перенос атомов примеси фронтом лазерно-индуцированной ударной волны не являются доминирующими механизмами массопереноса при динамическом легировании. Наиболее вероятным процессом, обеспечивающим образование инверсного слоя в поверхностной области кристалла CdTe при наносекундном лазерном облучении со стороны пленки In, является перемещение междоузельных атомов In вследствие термофлуктуационных перескоков под действием движущей силы термоупругих напряжений и градиента температуры.

Работа выполнена при финансовой поддержке 7-й Рамочной программы ЕС (грант N 218000 \glqq COCAE\grqq).

 PDF версия (565Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster