ФТТ, 2010, том 52, выпуск 3

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Самосогласованный расчет глубоких уровней вакансий Ge и S
в GeS методом функций Грина

З.А.Джахангирли

Азербайджанский технический университет,
Баку, Азербайджан
Институт физики АН Азербайджана,
Баку, Азербайджан
E-mail:cahanzakir@yahoo.com

(Поступила в Редакцию 2 июня 2009 г.)

На основе теории функций Грина в базисе локализованных орбиталей рассмотрена электронная структура локальных дефектов. Обсуждены электронные состояния в запрещенной зоне, резонансы и изменение электронной плотности в кристалле с дефектом.

 PDF версия (519Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster