ФТТ, 2010, том 52, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование регулярных доменных структур и особенности переключения спонтанной поляризации в кристаллах
танталата лития при дискретном
облучении электронами

Л.С.Коханчик, Д.В.Иржак

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН,
Черноголовка, Московская обл., Россия
E-mail: mlk@ipmt-hpm.ac.ru

(Поступила в Редакцию 5 мая 2009 г.)

Сообщается об исследовании процессов формирования доменных структур в кристаллах танталата лития толщиной ~300mum при их облучении электронами в растровом электронном микрокопе. Были использованы последовательные дискретные квазиточечные облучения электронным лучом по поверхности -Z-срезов. Такой способ рисования электронным лучом позволил управлять величиной внедряемого заряда и исследовать влияние расстояний между условно точечными зарядами на формирумые при переключении доменные структуры. Исследовано влияние направления перемещения луча при внесении облучений на ширину доменных линий. Сформирована доменная решетка периодом в 12 mum на -z-грани кристалла с переходом в глубине кристалла к структуре 2D-типа.

Работа частично поддержана грантом РФФИ N 09-02-00609a.

 PDF версия (1.6Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster