ФТТ, 2010, том 52, выпуск 2
ФТТ, 2010, том 52, выпуск 2
| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Многофононная релаксация оптических возбуждений
в кристаллах CsCdBr : Pr и LiYF : Nd
Э.И.Байбеков
Казанский государственный университет,
Казань, Россия
E-mail: edbaibek@gmail.com
(Поступила в Редакцию 10 марта 2009 г.)
|
Развита методика расчета вероятностей -фононных переходов между электронными подуровнями примесных редкоземельных ионов в диэлектрических кристаллах в случае . Вероятности -фононных переходов вычислены в первом и втором порядках теории возмущений. Гамильтониан электрон-фононного взаимодействия, сконструированный в рамках модели обменных зарядов, был представлен в виде ряда по степеням относительных смещений редкоземельных ионов и лигандов. Учтено влияние на вероятность -фононных переходов ангармонических слагаемых в энергии кристаллической решетки. На основе данной методики были рассчитаны скорости безызлучательной релаксации электронного мультиплета ионов Nd в кристалле LiYF : Nd и мультиплета ионов Pr в кристалле CsCdBr : Pr. Согласно расчетам, вклады второго порядка в вероятности рассмотренных переходов сравнимы с вкладами первого порядка и в отдельных случаях оказываются доминирующими. Скорости многофононной релаксации в кристалле LiYF : Nd существенно зависят от величин ангармонических силовых постоянных решетки. Вычисленные скорости безызлучательной релаксации рассмотренных электронных состояний хорошо согласуются с экспериментальными данными. Работа поддержана РФФИ (грант N 09-02-00930). |
| PDF версия (593Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2010, Коллектив авторов Разработано... webmaster |