ФТТ, 2010, том 52, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Оптические и электрофизические свойства дефектов в высокочистом CdTe

В.С.Багаев, Ю.В.Клевков, С.А.Колосов, В.С.Кривобок, А.А.Шепель

Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук,
Москва, Россия
E-mail: krivobok@lebedev.ru

(Поступила в Редакцию 2 апреля 2009 г.)

С помощью фотолюминесценции, фотопроводимости, а также анализа температурной зависимости проводимости исследован электронный спектр дефектов, образующихся при низкотемпературном синтезе и росте высокочистого [111] CdTe из паровой фазы исходных компонентов. Помимо сравнительно мелких центров, включающих в основном доноры и акцепторы из состава остаточных примесей замещения, в кристаллах обнаружены глубокие акцепторные состояния с энергиями активации 0.25, 0.6 и 0.86 eV, различающиеся характером и величиной локализующего потенциала. В то время как глубокие центры 0.6 и 0.86 eV характеризуются сильной локализацией электронных состояний, центр с энергией активации 0.25 eV связан с дефектами, для которых основная часть локализующего потенциала равномерно распределена в пространстве на несколько элементарных ячеек. Предполагаемым источником таких центров являются протяженные дефекты, вызванные двойникованием.

 PDF версия (608Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster