ФТТ, 2010, том 52, выпуск 1: page 32...

ФТТ, 2010, том 52, выпуск 1

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Гетероэпитаксия пленок Ge_xSi_1-x ( $x~0.4-0.5$ ) на подложках Si(001), отклоненных к (111): формирование только коротких краевых дислокаций несоответствия в направлении отклонения

Ю.Б.Болховитянов, А.С.Дерябин, А.К.Гутаковский, Л.В.Соколов

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
Новосибирск, Россия
E-mail: bolkhov@isp.ncs.ru

(Поступила в Редакцию 27 апреля 2009 г.
В окончательной редакции 27 мая 2009 г.)

Исследовалась ралаксация механических напряжений несоответствия в эпитаксиальных пленках Ge

_xSi

_1-x (

x~0.4-0.5

), выращиваемых методом молекулярной эпитаксии на подложках Si, отклоненных от точной ориентации (001) на угол

6

^o. Рассмотрены возможные варианты наведенного зарождения и взаимодействия

60

^o дислокаций несоответствия (ДН), распространяющихся в направлении отклонения с образованием отрезков коротких краевых ДН, проведена их классификация и приведены экспериментально обнаруженные с помощью ПЭМ различные формы таких конфигураций. Показано, что образование коротких краевых ДН происходит по двум различным механизмам:

A

--- коррелированное или наведенное зарождение комплементарной

60

^o дислокационной полупетли и затем образование отрезка краевой дислокации;

B

--- образование

90

^o сегмента ДН при пересечении уже существующих комплементарных

60

^o ДН, скользящих в противоположно наклонных плоскостях {111}. Показана неэквивалентность взаимодействия

60

^o ДН, распространяющихся в противоположных направлениях вдоль направления отклонения подложки.

PDF версия (1.7Mb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2010, Коллектив авторов Разработано... webmaster