ФТТ, 2010, том 52, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Действие магнитного поля на перенос энергии зонных состояний в 3d-оболочку Mn2+ в матрице CdMgTe с ультратонкими слоями CdMnTe

В.Ф.Агекян, P.O.Holtz\kern1pt*, G.Karczewski\kern1pt**, Е.С.Москаленко\kern1pt***, А.Ю.Серов, Н.Г.Философов

Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока
Санкт-Петербургского государственного университета,
Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
* IFM Material Physics, Linkoping University,
Linkoping, Sweden
** Institute of Physics, Polish Academy of Sciences,
Warsaw, Poland
*** Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: avf@VA4678.spb.edu

(Поступила в Редакцию 28 апреля 2009 г.)

Рассмотрено влияние внешних полей на два канала излучательной рекомбинации --- межзонный и внутрицентровый --- в разбавленных магнитных полупроводниках группы II-VI и наноструктурах на их основе. В магнитном поле до 6 T исследована внутрицентровая 3d-люминесценция ионов марганца в матрицах CdMgTe, содержащих периодические включения узкозонных слоев CdMnTe с толщинами 0.5, 1.5 и 3.0 монослоя. Показано, что в магнитном поле люминесценция ионов марганца ослабляется вследствие уменьшения скорости спин-зависимого переноса возбуждения от зонных состояний в 3d-оболочку марганца. Наиболее сильное подавление 3d-люминесценции наблюдается в матрице с толщиной CdMnTe 3.0 монослоя. Это свидетельствует о том, что основным фактором является величина внутренного поля около слоев CdMnTe определяющая магнитное расщепление и поляризацию спинов зонных состояний. Работа поддержана грантом \glqq Развитие научного потенциала высшей школы\grqq N 2.1.1.1812 Минобразования РФ.

 PDF версия (522Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2010, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster