ФТТ, 2009, том 51, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Спектры люминесценции гексагональных форм карбида кремния в мозаичных пленках, полученных методом
твердотельной эпитаксии

М.Е.Компан, И.Г.Аксянов, И.В.Кулькова, С.А.Кукушкин\kern1pt*, А.В.Осипов\kern1pt*, Н.А.Феоктистов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
* Институт проблем машиноведения Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
E-mail: kompan@mail.ioffe.ru

(Поступила в Редакцию 15 апреля 2009 г.)

Исследованы спектры люминесценции пленок карбида кремния, выращенных на кремнии методом твердотельной эпитаксии. Показано, что в зависимости от условий роста могут быть получены пленки различных политипов SiC, в том числе кубический и гексагональные политипы. Во многих случаях выращиваемые пленки являются смесью политипов, однако возможно и получение таких пленок, в которых преобладающим является материал гексагональной симметрии (в том числе возможно сосуществование двух близких по свойствам гексагональных фаз 4H и 2H). Тем самым показано, что пленки карбида кремния, выращиваемые на кремнии методом твердотельной эпитаксии, перспективны для применения в качестве демпфирующих слоев при синтезе широкозонных гексагональных полупроводников на кремниевых подложках.

Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (гранты N 07-08-00542, 09-03-00596, 08-08-12116-офи), программы РАН \glqq Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов\grqq, Фонда поддержки науки и образования (Санкт-Петербург).

PACS: 78.55.-m, 78.66.-w

 PDF версия (803Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster