| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Идентификация рекомбинирующих центров в широкозонных кристаллах и наноструктурах на их основе по спин-зависимому туннельному послесвечению
Р.А.Бабунц, Н.Г.Романов, Д.О.Толмачев, А.Г.Бадалян, В.А.Храмцов,
П.Г.Баранов, D.Rauh, V.Dyakonov
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,
Санкт-Петербург, Россия
Experimental Physics VI, Faculty of Physics and Astronomy, University of Wurzburg, Am Hubland,
Wurzburg, Germany
E-mail: nikolai.romanov@mail.ioffe.ru
(Поступила в Редакцию 24 марта 2009 г.)
|
Метод регистрации электронного парамагнитного резонанса по туннельному послесвечению использован для идентификации центров, участвующих в спин-зависимой рекомбинации в широкозонных кристаллических структурах диэлектрикполупроводник KCl : AgCl, объемных кристаллах ZnO и квантовых точках на основе нанокристаллов ZnO. Длительное туннельное послесвечение возбуждалось кратковременным УФ-облучением образца при температурах жидкого гелия. Наблюдались магнитное тушение послесвечения при низких температурах вследствие больцмановской поляризации спинов рекомбинирующих центров и гигантское увеличение интенсивности послесвечения, стимулированное переориентацией спинов этих центров при электронном парамагнитном резонансе. С целью увеличения чувствительности и спектрального разрешения разработана и использована новая методика регистрации спектров на высокой частоте 94 GHz, применение которой позволило разделить электронные и дырочные центры в структурах KCl : AgCl, а также показать, что в квантовых точках ZnO : Al имеется два типа глубоких акцепторов. Работа выполнена при поддержке Федерального агентства по науке и инновациям в рамках контракта N 02.513.12.3031, программ Президиума РАН \glqq Поддержка инноваций и разработок\grqq, \glqq Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов\grqq, программы ОФН РАН \glqq Спин-зависимые эффекты в твердых телах и спинтроника\grqq, а также грантами РФФИ N 09-02-01409-а и 09-02-00730-а. PACS: 61.46.Hk, 61.80.Ba, 76.30.-v, 76.70.Hb |
| PDF версия (662Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |