| Содержание | Предыдущая статья | Следующая статья | Поиск |
|---|
Локализация экситонного возбуждения в планарных
структурах CdMnTe/CdMgTe
В.Ф.Агекян, А.Ю.Серов, Н.Г.Философов, G.Karczewski
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета,
Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Institute of Physics, Polish Academy of Sciences,
Warsaw, Poland
E-mail: avf@VA4678.spb.edu
(Поступила в Редакцию 17 марта 2009 г.)
|
Исследованы спекры излучения экситона в серии периодических структур с ультратонкими узкозонными включениями CdMnTe в матрице CdMnTe. Сложная структура спектров люминесценции и их соотношение со спектрами возбуждения свидетельствуют о наличии крупномасштабных флуктуаций толщин узкозонных слоев. Установлено два типа температурной зависимости люминесценции локализованных экситонов: 1) полное подавление излучения выше 80 K; 2) относительное усиление температурно-устойчивой низкоэнергетической полосы, соответствующей локальным утолщениям планарных слоев CdMnTe. Работа выполнена при поддержке гранта \glqq Развитие научного потенциала высшей школы\grqq N 2.1.1.1812 Министерства науки и образования РФ. PACS: 73.21.Fg, 78.66.Hf, 78.67.-h |
| PDF версия (530Kb) | Другие выпуски | Другие журналы | Помощь |
|---|
| Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster |