ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11: page 2229...

ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Влияние политипии на структурные фазовые превращения в кристаллах TlGaSe₂

Н.А.Боровой, Ю.П.Гололобов^*, Г.Л.Исаенко^*, Н.Б.Степанищев

Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко,
Киев, Украина
^* Национальный транспортный университет,
Киев, Украина
E-mail: gololo@ukr.net

(Поступила в Редакцию 20 октября 2008 г.)

Обнаружено существенное влияние политипии на изменения с температурой структуры кристаллической решетки сегнетоэлектрика TlGaSe

₂. В

2C

-политипе в отличие от

C

-политипа в интервале температур

T=90-300

K не наблюдается структурный фазовый переход первого рода, приводящий к изменению трансляционной симметрии вдоль оси

C

, а фазовый переход второго рода, связанный с образованием несоразмерной фазы, происходит при более высокой температуре.

PACS: 61.50.Ks, 77.80.Bh