ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11: page 2180...

ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11

Содержание	Предыдущая статья	Следующая статья	Поиск

Влияние электронного и gamma-облучения на упругие характеристики кристаллов $KTiOPO$ ₄

В.Г.Гуртовой, А.У.Шелег

Научно-практический центр по материаловедению Национальной академии наук Белоруссии,
Минск, Белоруссия
E-mail: hurtavy@ifttp.bas-net.by

(Поступила в Редакцию 11 февраля 2009 г.)

Эхо-импульсным методом измерены модули упругости

C

₁₁ и

C

₃₃ необлученных и облученных электронами и

gamma-квантами кристаллов

KTiOPO

₄ в области температур 100

-

330 K. Показано, что

C

₁₁33 и с ростом температуры их значения плавно уменьшаются, а в области температуры фазового перехода (ФП) второго рода при

T~281

K на кривых

C

₁₁=f(T) и

C

₃₃=f(T) наблюдаются аномалии в виде излома. Установлено, что в результате облучения электронами значения упругих модулей уменьшаются, а температура ФП растет. Облучение кристаллов

KTiOPO

₄

gamma-квантами дозой

10

⁷ R не оказывает существенного влияния на динамические характеристики этого кристалла.

PACS: 62.20.de, 61.80.Fe, 42.70.Mp

PDF версия (497Kb) Другие выпуски Другие журналы Помощь

Copyright (C) 2009, Коллектив авторов Разработано... webmaster