ФТТ, 2009, том 51, выпуск 11

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Формирование буферного слоя субоксидов кремния SiOx в низкоразмерной гетеросистеме Si/SiO2 после имплантации
ионами Si+: рентгеновские Si L2,3-эмиссионные спектры

Д.А.Зацепин *,**, Е.А.Панин **, S.Kaschieva ***, H.-J.Fitting ****, С.Н.Шамин *

* Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук,
Екатеринбург, Россия
** Уральский государственный технический университет (УПИ),
Екатеринбург, Россия
*** Institute of Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences,
Sofia, Bulgaria
**** Department of Physics, University of Rostock,
Rostock, Germany
E-mail: d\_zatsepin@ifmlrs.uran.ru

(Поступила в Редакцию 19 февраля 2009 г.)

Представлены результаты исследования методом рентгеновской L2,3-эмиссионной (электронный переход Si 3d3s->Si 2p1/2,3/2) спектроскопии низкоразмерных гетеронаноструктур n-Si/SiO2 с различной толщиной оксидной пленки (20 и 500 nm) после имплантации ионами Si+ с энергиями 12 и 150 keV. Для гетероструктуры с толщиной диоксида кремния 20 nm выявлена и изучена ионно-лучевая модификация интерфейсной границы. Анализ рентгеновских Si L2,3-эмиссионных спектров показал, что имплантация ионами Si+ приводит к самоупорядочению структуры изначально аморфной 20 nm пленки SiO2 вследствие эффекта больших доз. Предложен механизм ионно-лучевой модификации границы раздела фаз диэлектрик-полупроводник. В случае гетероструктуры с толщиной диоксида кремния 500 nm существенной перестройки атомной и электронной структуры после ионной имплантации обнаружено не было.

Работа выполнена в рамках Соглашения о сотрудничестве между Российской академией наук и Болгарской академией наук, а также при поддержке гранта Исследовательского совета Президента Российской Федерации НШ 1929.2008.2.

PACS: 61.72.uf, 62.23.Eg, 73.20.At, 78.70.En

 PDF версия (856Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster